SFM-125-T1-S-D-LC是一款表面贴装封装的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等高效率电力电子设备中。该器件采用Trench工艺制造,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效降低系统功耗并提升整体性能。
此型号为N沟道增强型MOSFET,支持高频应用环境,同时具备良好的热稳定性和耐用性,非常适合用于对效率和可靠性要求较高的场景。
最大漏源电压:125V
连续漏极电流:30A
导通电阻:4mΩ
栅极电荷:85nC
输入电容:1600pF
开关频率:1MHz
工作温度范围:-55℃至175℃
1. SFM-125-T1-S-D-LC采用了先进的Trench MOSFET技术,确保了其具有极低的导通电阻(Rds(on)),从而减少导通损耗,提高系统的整体效率。
2. 具备快速开关能力,支持高达1MHz的工作频率,特别适合高频开关应用场景。
3. 内部集成ESD保护电路,增强了器件的抗静电能力,提高了产品的可靠性和耐用性。
4. 采用无铅环保材料制造,并兼容标准回流焊接工艺,简化了生产流程。
5. 封装形式紧凑小巧,节省PCB板空间,方便在高密度设计中使用。
6. 支持较宽的工作温度范围,适应各种严苛环境下的应用需求。
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业自动化设备
5. 电池管理系统(BMS)
6. LED照明驱动
7. 汽车电子中的负载切换与保护
SFM-125-T1-S-D-HC, IRF125Z, FDP125N12AS