SFM-120-T2-L-D-LC-K-TR是一款表面贴装型功率MOSFET芯片,采用DFN(Dual Flat No-Lead)封装形式。该型号主要针对高效率、低功耗应用设计,广泛适用于开关电源、电机驱动、DC/DC转换器等领域。其独特的结构设计和先进的制造工艺使其具备极低的导通电阻和出色的热性能。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:40A
导通电阻:1.5mΩ
总电容:1500pF
功耗:15W
工作温度范围:-55℃ to +175℃
SFM-120-T2-L-D-LC-K-TR具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗,提升系统效率。
2. 优化的Qg(栅极电荷)设计,能够实现快速开关,从而减少开关损耗。
3. 小型化的DFN封装形式,适合紧凑型电路板设计。
4. 出色的热性能,可有效提高器件在高温环境下的可靠性。
5. 内置ESD保护功能,增强抗静电能力,提升产品耐用性。
6. 符合RoHS标准,环保无铅制程。
这款功率MOSFET适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC/DC转换器中的功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 电池管理系统的充放电控制开关。
5. 照明驱动电路中的负载开关。
6. 工业自动化设备中的信号切换与功率传输。
SFP-120-T2-L-D-LC-K-TR
SFM-120-N2-L-D-LC-K-TR