SFM-115-L2-S-D-A-K 是一款高性能的功率场效应晶体管(MOSFET),主要应用于高效率开关电源、电机驱动以及负载切换等领域。该型号采用先进的半导体制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够显著降低功率损耗并提高系统的整体性能。
这款 MOSFET 具有 N 沟道增强型结构,其封装形式为 DPAK(TO-263),适合表面贴装技术(SMT)应用。通过优化的芯片设计和封装技术,SFM-115-L2-S-D-A-K 能够在高温环境下保持稳定的工作状态,同时具备良好的热特性和电气特性。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:30A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:85nC
输入电容:1800pF
开关速度:超高速
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:DPAK (TO-263)
结温:175℃
1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能,适用于高频开关应用。
3. 大电流承载能力,支持高功率输出。
4. 采用 DPAK 封装,提供优良的散热性能。
5. 宽工作温度范围,适应各种恶劣环境。
6. 内部集成保护功能,提升器件可靠性。
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
2. DC-DC 转换器中的同步整流电路。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的功率管理。
6. 通信电源中的高效能量转换。
SFM-115-H2-S-D-A-K
SFM-115-M2-S-D-A-K
SFM-115-P2-S-D-A-K