时间：2025/6/10 11:04:27
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SFM-115-02-S-D-K-TR是一种高性能的功率MOSFET器件，采用TO-263封装形式。该型号专为高效率、低功耗应用而设计，能够承受较高的电压和电流。其主要特点包括极低的导通电阻（Rds(on)），快速开关速度以及出色的热性能。
这种MOSFET广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。由于其卓越的电气特性和可靠性，SFM-115-02-S-D-K-TR成为众多工程师在设计高能效系统时的首选。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：150V
最大连续漏极电流(Id)：48A
导通电阻(Rds(on))：2.9mΩ (典型值，在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg)：75nC
总电容(Ciss)：2230pF
工作温度范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关特性，适用于高频应用。
3. 高击穿电压能力，确保在高压环境下的稳定运行。
4. 出色的热性能，有效减少散热需求。
5. 具备优异的抗雪崩能力和ESD保护功能，提升整体可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
7. 小型化封装，适合空间受限的应用场景。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率级元件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 负载开关和保护电路。
5. 太阳能逆变器及电池管理系统中的功率调节元件。
6. 汽车电子中的各种功率控制模块。
7. 工业自动化设备中的功率管理单元。
SFP115N02L-08
SMD115N02L
IRFZ44N
