时间：2025/6/3 13:55:15
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SFM-110-T2-F-D-A-K-TR 是一种基于氮化镓（GaN）技术的高频功率晶体管，主要用于射频和微波放大器应用。该器件采用增强型场效应晶体管（eGaN FET）设计，具有高开关速度、低导通电阻和出色的热性能。它适用于通信系统、雷达、卫星通信等领域的高效率功率放大器设计。
此型号中的具体字母和数字代表不同的封装类型、电压等级、频率范围和其他特性参数，用户可以根据实际需求选择合适的版本。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：35A
峰值脉冲电流：70A
导通电阻：8mΩ
栅极电荷：45nC
反向恢复时间：10ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263-7
SFM-110-T2-F-D-A-K-TR 的主要特性包括以下几点：
1. 高效的 GaN 技术确保了其卓越的开关性能和高频操作能力。
2. 极低的导通电阻降低了传导损耗，提高了整体效率。
3. 出色的热管理能力使其能够在高温环境下稳定运行。
4. 快速的开关速度支持高频应用，减少磁性元件的体积和成本。
5. 紧凑的封装设计便于集成到各种射频和微波系统中。
6. 可靠性经过严格测试，满足军工级和工业级标准。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 射频功率放大器设计，特别是在无线通信基站中。
2. 微波能量传输设备，如工业加热和烹饪器具。
3. 雷达系统中的发射机模块。
4. 卫星通信系统中的固态功率放大器。
5. 医疗成像设备中的高频信号生成单元。
6. 汽车雷达和自动驾驶辅助系统的功率模块。
SFM-110-T2-F-D-B-K-TR
SFM-110-T2-F-D-C-K-TR
SFM-110-T2-F-D-E-K-TR
