SFM-108-L1-F-D-LC-K-TR 是一款高性能表面贴装封装的射频开关芯片,广泛应用于无线通信、雷达系统和测试测量设备等领域。该器件具有低插入损耗、高隔离度和快速切换时间的特点,能够在高频段内提供卓越的性能表现。其设计采用了先进的硅锗(SiGe)工艺技术,确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。
封装:QFN32
工作频率范围:DC至40GHz
插入损耗:0.5dB
隔离度:40dB
VSWR:1.2:1
电源电压:2.7V~5.5V
静态电流:典型值20mA
切换时间:小于1纳秒
工作温度范围:-40℃至+85℃
这款射频开关芯片采用先进的 SiGe 工艺制造,具有极高的线性度和稳定性。
支持从直流到高达 40GHz 的宽广频率范围,非常适合各种射频应用。
具备极低的插入损耗和出色的隔离度,可有效减少信号失真和串扰。
快速切换时间使其适合于需要高速切换的应用场景。
提供小型化的 QFN32 封装,易于集成到紧凑型设计中。
具备过温保护功能,可在极端条件下保持可靠运行。
SFM-108-L1-F-D-LC-K-TR 主要用于需要高性能射频开关的场合,例如:
蜂窝基站中的收发信机模块。
卫星通信系统的前端射频电路。
测试与测量设备中的信号路径控制。
雷达系统中的发射/接收切换。
物联网 (IoT) 设备中的射频信号路由。
便携式无线设备中的多频段天线切换。
SFM-108-L1-F-D-HC-K-TR
SFM-108-M1-F-D-LC-K-TR