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SFI-B2012-102KJT 发布时间 时间:2025/9/9 3:11:49 查看 阅读:19

SFI-B2012-102KJT是一款由SUNLONG ELECTRONICS生产的表面贴装(SMD)多层陶瓷贴片电容,广泛用于电子电路中以提供稳定的电容性能。该电容采用高性能陶瓷介质材料和先进的制造工艺,确保在多种工作环境下的可靠性和稳定性。其额定电容为1nF(102表示10×102pF),容差为±10%,额定电压通常为25V或50V,适用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等多种应用领域。

参数

尺寸:2012(公制,英制为0805)
  电容值:1nF(102代码)
  容差:±10%(K)
  额定电压:25V或50V(根据具体批次和版本)
  工作温度范围:-55°C至+125°C(X7R或X5R介质)
  介质材料:陶瓷(通常为X7R或X5R)
  封装类型:表面贴装(SMD)
  温度特性:符合EIA标准(如X7R表示-55°C至+125°C范围内变化率不超过±15%)

特性

SFI-B2012-102KJT作为一款高性能多层陶瓷贴片电容器,具有多项显著特性。首先,其采用陶瓷介质材料,具有良好的温度稳定性,能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值的稳定性,适用于各种恶劣环境条件。其次,该电容器的表面贴装封装设计不仅节省空间,还便于自动化生产,提高了PCB布局的灵活性和整体系统的可靠性。
  此外,SFI-B2012-102KJT的容差为±10%,这意味着其实际电容值与标称值之间的偏差较小,适合对精度要求较高的电路设计,如滤波器、定时电路和电源去耦等应用。该电容器的额定电压通常为25V或50V,使其能够在多种电压条件下稳定工作,适用于多种直流和交流电路。
  这款电容器还具有优异的频率响应特性,能够在高频条件下保持较低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),从而有效降低电路中的噪声和干扰,提高系统的整体性能。此外,陶瓷电容器具有较长的使用寿命和良好的耐久性,不易老化,适合长期运行的电子设备。

应用

SFI-B2012-102KJT电容器广泛应用于多个电子领域。在消费电子方面,常用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备中的电源管理电路、信号滤波和去耦应用。在工业控制领域,该电容器可用于PLC、传感器、工业自动化设备和电机驱动电路中,以提高系统的稳定性和抗干扰能力。
  在通信设备中,SFI-B2012-102KJT可用于无线基站、路由器、交换机和光模块中的高频滤波和电源去耦,以确保信号传输的稳定性和可靠性。在汽车电子领域,该电容器适用于车载娱乐系统、车身控制模块、发动机控制单元(ECU)和ADAS系统,满足汽车应用对高可靠性和耐环境能力的要求。
  此外,该电容器还可用于医疗电子设备、安防监控系统、智能家居设备和物联网(IoT)设备,为这些高精度、高稳定性的应用场景提供可靠的电容解决方案。

替代型号

TDK C2012X5R1H103K |
  Murata GRM21BR61H103KA01L |
  Samsung CL21B103KBANNNC |
  Yageo CC0805KRX7R9BB103 |
  Kemet C2012X7R1H103K

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