产品型号：SFHG42AS101
　　制造商：CTS / Syfer
　　电容值：100pF
　　容差：±0.05pF
　　额定电压：25V DC
　　封装尺寸：0402（1.0mm x 0.5mm）
　　温度特性：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：Class I Ceramic (C0G/NP0)
　　电极材料：Nickel Barrier Electrode (NME)
　　老化率：0% per decade
　　直流偏压特性：无容量随电压变化
　　磁性：非磁性版本可选
　　端接类型：Standard Termination with Ni/Sn Plating

SFHG42AS101的最大优势在于其采用C0G（也称为NP0）类I陶瓷介质材料，这种材料具有极其稳定的电气特性，几乎不受温度、电压和频率的影响。在-55°C到+125°C的工作温度范围内，电容值的变化不超过±30ppm/°C，确保了长期运行中的高度可靠性。这一特性使其成为高精度振荡器、压控振荡器（VCO）、SAW/BAW滤波器匹配网络以及高频PLL电路中的理想选择。由于C0G材料本身是非铁电性的，因此不会出现因直流偏置而导致的容量下降问题，这与X7R或Y5V等II类陶瓷电容器形成鲜明对比。
　　该器件的高频性能尤为突出，其自谐振频率（SRF）通常可达数GHz以上，具体取决于PCB布局和外部寄生参数。在1GHz频率下，Q值可超过1000，表明其能量损耗非常低，适合作为谐振回路中的关键元件。同时，其极低的等效串联电阻（ESR）有助于减少发热并提高系统效率。Syfer High Q系列通过优化内部电极结构和堆叠工艺，显著降低了等效串联电感（ESL），进一步扩展了有效工作频率范围。
　　SFHG42AS101还具备出色的抗湿性和长期稳定性，经过严格的可靠性测试，包括高温存储、温度循环、湿度寿命测试等，确保在恶劣环境下的持续性能表现。其0402小型化封装不仅节省宝贵的PCB空间，还能减少引线电感，有利于高频信号完整性设计。此外，该器件支持自动化贴装，适用于大规模SMT生产线。对于射频前端模块、5G毫米波组件、Wi-Fi 6E射频链路及汽车雷达系统而言，SFHG42AS101提供了一种兼具高性能与小型化的解决方案。

SFHG42AS101主要应用于高频和超高频电子系统中，尤其是在对电容稳定性与Q值要求极为严苛的场合。典型应用包括无线通信设备中的射频匹配网络，如功率放大器（PA）输出匹配、低噪声放大器（LNA）输入匹配以及天线调谐电路。由于其卓越的温度稳定性和低损耗特性，该器件常被用于构建高性能LC谐振电路，支持蓝牙、Zigbee、LoRa、NB-IoT、Wi-Fi 6/6E以及5G sub-6GHz频段的射频前端模块。
　　在工业和汽车电子领域，SFHG42AS101可用于雷达传感器、远程信息处理单元和车载通信系统，特别是在需要长期稳定运行且不受环境温度波动影响的关键节点。此外，它也被广泛应用于精密测量仪器、高速数据转换器（ADC/DAC）的参考电压旁路、时钟发生电路的去耦以及射频识别（RFID）读写器的滤波网络中。在航空航天和国防系统中，该电容器可用于相控阵雷达、卫星通信终端和电子战设备的微波子系统，因其具备高可靠性和抗干扰能力。
　　随着物联网设备向更高频率和更低功耗发展，SFHG42AS101的小型化封装和优异高频响应使其成为可穿戴设备、智能传感器节点和微型无线模块的理想选择。无论是用于GHz级信号耦合、DC阻断还是作为带通滤波器的一部分，该器件都能提供一致且可预测的性能，帮助工程师实现更高的系统集成度和更优的电磁兼容性（EMC）表现。