时间：2025/5/29 2:39:04
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TFD080N04N是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各种高效能要求的场景。
该芯片能够在高频条件下保持较低的功耗，同时提供稳定的性能表现。其封装形式为TO-252（DPAK），非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：8A
导通电阻：17mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：19nC（典型值）
开关速度：快
工作温度范围：-55°C至+175°C
1. 极低的导通电阻Rds(on)，能够有效减少功率损耗。
2. 高雪崩能力，确保在异常条件下的可靠性。
3. 快速开关性能，适合高频应用场景。
4. 良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
5. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业规范。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流元件。
3. 电机驱动控制电路中的功率级开关。
4. 照明系统中的LED驱动开关。
5. 各类消费电子产品的负载切换功能模块。
6. 工业自动化设备中的功率管理单元。
IRF740,
STP80NF06,
FDP087N04A
