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SFH 3605 发布时间 时间:2025/12/28 6:50:37 查看 阅读:6

SFH 3605是一款由欧司朗(OSRAM)公司生产的高灵敏度硅光电晶体管,广泛应用于光信号检测和光电转换场景。该器件采用红外线敏感的NPN型光电晶体管结构,封装在标准的T-1 3/4(5mm)圆形环氧树脂封装中,具有良好的方向性和机械稳定性。SFH 3605对可见光至近红外光谱范围内的光线具有出色的响应能力,尤其在850nm至900nm波长范围内表现出峰值灵敏度,非常适合与红外发光二极管(IR LED)配合使用,构成光电开关、槽型传感器或反射式传感器系统。
  该元器件无需外部偏置电压即可工作于光导模式,输出电流与入射光强度呈近似线性关系,具备较高的光电流增益。其封装具备良好的抗环境干扰能力,并且引脚间距符合标准插件工艺要求,便于在自动插件机上进行大规模生产装配。由于其高可靠性、长寿命以及稳定的性能表现,SFH 3605被广泛用于消费电子、工业控制、办公设备及家用电器等领域中的光感测应用。

参数

类型:硅NPN光电晶体管
  封装形式:T-1 3/4 (5mm)透明环氧树脂封装
  峰值灵敏波长:约850 nm
  集电极-发射极电压(Vceo):30 V
  发射极-集电极电压(Veco):5 V
  集电极电流(Ic):20 mA
  功耗(Ptot):100 mW
  工作温度范围:-40°C 至 +100°C
  存储温度范围:-40°C 至 +100°C
  响应时间(上升/下降):约3 μs / 3 μs
  视角(半功率角):±20°
  暗电流(Idark):最大100 nA(在25°C)
  光电流(Iphoto):典型值为1.5 mA(在Ee = 1 mW/cm2, λ=850 nm条件下)

特性

SFH 3605的核心优势在于其优异的光谱匹配性和高灵敏度,特别适合与常用红外LED(如GaAs或AlGaAs材料制成的850nm或880nm光源)协同工作,实现高效的光电耦合。该器件内部采用硅基PN结结构,当接收到特定波长的入射光时,会在基区产生电子-空穴对,从而形成基极驱动电流,经晶体管放大后在集电极输出较大的光电流。这种内置增益机制使其相较于普通光敏二极管具有更高的输出信号幅度,降低了后续信号调理电路的设计难度。
  此外,SFH 3605采用了定向透镜封装设计,具有较窄的接收视角(通常为±20°),有效提升了系统的抗杂散光干扰能力,在复杂光照环境中仍能保持稳定的工作性能。这一特性使其在需要精确光路对准的应用中尤为关键,例如纸张检测、位置传感和编码器系统等。器件还具备良好的温度稳定性,暗电流随温度变化较小,即使在高温环境下也能维持较低的噪声水平,确保长时间运行的可靠性。
  从制造工艺角度看,SFH 3605遵循严格的工业标准,所有材料均符合RoHS环保要求,适用于无铅焊接流程。其机械尺寸标准化,支持通孔安装方式,兼容传统PCB组装工艺,适用于自动化生产线的大批量应用。同时,该器件具有较长的使用寿命,无活动部件,不会因机械磨损而失效,是一种典型的固态光传感器解决方案。其响应速度可达微秒级,足以满足大多数中高速光电检测需求,包括脉冲光识别、数据传输隔离和物体计数等功能。

应用

SFH 3605常用于各类需要非接触式检测的电子系统中。典型应用场景包括光电开关和槽型中断器,例如打印机中的纸张存在检测、自动售货机中的物品移动监控以及工业自动化设备中的位置反馈系统。在这些应用中,SFH 3605与红外LED相对安装,形成一个“光闸”结构,当物体通过间隙时阻断光路,从而触发状态变化。
  此外,它也被广泛应用于家电领域,如洗衣机水位检测、微波炉门安全联锁、空调灰尘传感器等。在办公设备中,扫描仪、复印机和传真机常利用该器件进行文档进给检测和滚筒转速测量。由于其良好的电气隔离特性,SFH 3605还可作为低成本光电耦合器的一部分,用于实现电路之间的信号隔离,防止噪声干扰或高压串扰。
  在消费电子产品中,该器件可用于红外遥控接收前端的辅助检测,或者作为简单光强测量模块的核心元件。在一些低速数据通信场合,如红外串行通信接口(IrDA物理层兼容系统),SFH 3605也能胜任基本的信号接收任务。得益于其高可靠性和成熟的技术方案,该器件也常见于教学实验平台和原型开发项目中,是学习光电传感原理的理想选择。

替代型号

TEMT6000X01
  PT333-3C
  LTR-3000DL
  KPT-2012-A

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SFH 3605参数

  • 产品宽度2.35mm
  • 产品长度3.3mm
  • 产品高度1.7mm
  • 供应商包装MIDLED
  • 光电晶体管类型光电晶体管
  • 功能光电晶体管
  • 半强度角度度数40°
  • 安装贴片
  • 峰值波长990nm
  • 插脚数2
  • 最大光电流500μA
  • 最大功率耗散130mW
  • 最大发射器集电极电压7V
  • 最大工作温度100°C
  • 最大暗电流50nA
  • 最大集电极发射器电压35V
  • 最大集电极电流15mA
  • 最小工作温度-40°C
  • 每芯片通道数目1
  • 类型芯片