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SFH 320-3 发布时间 时间:2025/12/28 7:41:47 查看 阅读:11

SFH 320-3 是一款由 Broadcom(前身为 Avago Technologies)生产的高性能光电晶体管耦合器,也被称为光耦或光电隔离器。该器件采用表面贴装 DIP-4 封装,内部由一个砷化镓(GaAs)红外发光二极管与一个硅 NPN 光电晶体管组成,两者通过光学方式耦合,但电气上完全隔离。这种结构使得 SFH 320-3 能够在输入和输出之间提供高电压隔离,同时传输电信号,广泛应用于需要电气隔离的电路系统中。
  该光耦的设计重点在于其高可靠性、良好的电流传输比(CTR)以及稳定的温度特性。SFH 320-3 的封装符合 RoHS 标准,适用于自动化贴片生产流程,并具备良好的抗湿度和机械稳定性。由于其紧凑的封装和优异的性能,SFH 320-3 在工业控制、电源管理、通信接口和医疗设备等领域得到了广泛应用。此外,该器件经过了严格的安全认证,符合国际标准如 UL、CSA 和 VDE,确保在高压环境下的安全运行。

参数

类型:光电晶体管输出光耦
  通道数:1
  输入正向电流(IF):60 mA
  输入反向电压(VR):5 V
  输出集电极-发射极电压(VCEO):70 V
  输出发射极-集电极电压(VECO):7 V
  集电极电流(IC):100 mA
  功耗(PD):150 mW
  工作温度范围:-55°C 至 +110°C
  存储温度范围:-55°C 至 +125°C
  最大 CTR(电流传输比):600% @ IF=10mA, VCE=5V
  最小 CTR:50% @ IF=5mA, VCE=5V
  响应时间(上升/下降):4 μs / 3 μs
  隔离电压(Viso):5300 VRMS(1 分钟)
  封装类型:DIP-4 表面贴装
  

特性

SFH 320-3 具备卓越的电气隔离性能,能够在高噪声或高电压环境中稳定工作,有效防止接地环路、电压浪涌和电磁干扰对敏感电路的影响。其内部 GaAs 红外 LED 与硅光电晶体管之间的光学耦合设计确保了信号传输的可靠性和长期稳定性。该器件的电流传输比(CTR)表现优异,在典型工作条件下可达到 50% 至 600%,这意味着即使在较低的输入驱动电流下也能实现高效的输出响应,从而降低驱动电路的功耗需求并提升系统能效。
  该光耦具有快速的响应时间,上升和下降时间分别为 4 微秒和 3 微秒,适合用于中等速度的数字信号隔离应用,如微控制器与功率器件之间的通信隔离、开关电源反馈回路以及工业 I/O 模块中的信号传输。其宽广的工作温度范围(-55°C 至 +110°C)使其能够适应极端环境条件,包括高温工业现场和低温户外设备。
  SFH 320-3 还具备出色的绝缘性能,支持高达 5300 VRMS 的隔离电压(1 分钟),满足 UL1577、IEC/EN/DIN EN 60747-5-2 等国际安全标准,适用于需要高安全等级的应用场景,如医疗设备和电力监控系统。此外,其表面贴装 DIP-4 封装便于自动化装配,节省 PCB 空间,同时提供良好的散热性能和机械强度。器件还具有低输入驱动要求、高抗干扰能力和长寿命特点,无需外部偏置电阻即可工作,简化了电路设计。

应用

SFH 320-3 广泛应用于需要电气隔离的各种电子系统中。在开关电源(SMPS)中,它常被用作反馈回路中的隔离元件,将次级侧的电压调节信号传递到初级侧的 PWM 控制器,以实现稳定的输出电压调节,同时保持初级与次级之间的高压隔离。在工业自动化领域,该光耦用于 PLC(可编程逻辑控制器)的输入/输出模块,实现现场传感器或执行器与控制单元之间的信号隔离,提高系统的抗干扰能力和安全性。
  在通信接口中,SFH 320-3 可用于隔离 RS-232、RS-485 或 CAN 总线等通信线路,防止不同设备间的地电位差造成损坏。此外,在电机驱动、逆变器和UPS(不间断电源)系统中,它用于隔离控制信号与高功率开关器件(如 IGBT 或 MOSFET),保障低压控制电路的安全。医疗电子设备也常采用此类高隔离性能的光耦,以满足严格的电气安全规范。消费类电子产品如智能电表、家电控制板等也利用 SFH 320-3 实现功能隔离与噪声抑制。

替代型号

HCPL-320J,EL3H7,GD320T01

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SFH 320-3参数

  • 最大集电极发射器饱和电压0.15V
  • 产品宽度3mm
  • 产品长度3.4mm
  • 产品高度2.1mm
  • 供应商包装PLCC
  • 光电晶体管类型光电晶体管
  • 功能光电晶体管
  • 半强度角度度数120°
  • 安装贴片
  • 峰值波长980nm
  • 插脚数2
  • 最大上升时间7000ns
  • 最大下落时间7000ns
  • 最大光电流650μA
  • 最大功率耗散165mW
  • 最大工作温度100°C
  • 最大暗电流50nA
  • 最大集电极发射器电压35V
  • 最大集电极电流15mA
  • 最小工作温度-40°C
  • 极性NPN
  • 每芯片通道数目1
  • 类型芯片