时间：2025/5/29 12:14:36
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SFC-125-T2-F-D-A-K-TR 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高频功率晶体管，专为射频和微波应用设计。该器件采用先进的封装技术，能够提供卓越的效率和增益性能。其高频率特性使其非常适合于通信、雷达以及航空航天等高端应用场景。
最大工作电压：100V
输出功率：125W
工作频率范围：2GHz - 18GHz
漏极效率：70%
增益：15dB
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：陶瓷气密封装
引脚配置：表面贴装
SFC-125-T2-F-D-A-K-TR 的主要特性包括：
1. 高效的氮化镓材料，具备出色的功率密度和热管理能力。
2. 在宽广的工作频率范围内保持稳定的增益和效率表现。
3. 先进的封装技术有效提高了散热性能，延长了使用寿命。
4. 支持表面贴装工艺，便于自动化生产和集成到复杂的射频系统中。
5. 极低的寄生电感，确保在高频操作时具有优秀的线性度和稳定性。
6. 能够承受极端温度条件，适用于恶劣环境下的高性能需求。
这款芯片的设计使得它成为需要高可靠性、高效率和小尺寸解决方案的理想选择。
SFC-125-T2-F-D-A-K-TR 广泛应用于以下领域：
1. 射频功率放大器，如基站放大器和点对点通信系统。
2. 军用雷达和卫星通信设备中的高频信号处理模块。
3. 医疗成像设备，例如超声波发射器和接收器。
4. 工业加热和等离子体生成系统中的射频电源。
5. 科学研究实验中的高精度测量仪器。
其高频和高功率特性使其在现代无线通信基础设施建设中占据重要地位。
SFC-150-T2-F-D-A-K-TR
SFC-100-T2-F-D-A-K-TR
