类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：100V
　　最大漏极电流 Id：8A
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 8.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　栅极电荷 Qg：典型值 23nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

WSP08N10 的核心优势在于其低导通电阻和高效的开关性能。其导通电阻 Rds(on) 仅为 8.5mΩ，能够在高电流条件下显著降低导通损耗，从而提升整体系统的效率。
　　此外，该器件的栅极电荷（Qg）为 23nC，较低的 Qg 值意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，适用于高频开关应用。这种特性在电源转换器、同步整流器等高频率电路中尤为重要。
　　WSP08N10 采用 TO-252（DPAK）封装形式，具备良好的热管理和机械稳定性。该封装设计有助于快速散热，提高器件在高负载条件下的工作稳定性，同时便于安装和 PCB 布局。
　　该 MOSFET 具备较高的最大漏源电压（Vds）能力，达到 100V，适用于中高功率的直流-直流转换器和电机控制应用。最大漏极电流为 8A，使其能够在较高负载条件下稳定运行。
　　该器件的温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应各种恶劣工作环境，提高了其在工业、汽车和消费电子应用中的可靠性与适用性。

WSP08N10 主要应用于需要高效能、高稳定性的功率控制电路中。典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及电源管理系统。
　　在 DC-DC 转换器中，该器件可作为主开关使用，因其低导通电阻和快速开关特性，有助于提升转换效率并减小电路尺寸。
　　在电机控制和负载开关中，WSP08N10 可提供可靠的电流控制能力，适用于电动工具、电动车和工业自动化设备。
　　此外，该器件也广泛用于 LED 驱动电源、充电器和适配器等消费类电子产品中，确保电源系统的稳定性和高效运行。

Si4410BDY-T1-GE3, IRFZ44N, FDP08N10, STP8NK10Z