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SF54G 发布时间 时间:2025/6/3 19:08:32 查看 阅读:8

SF54G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低能耗。
  该芯片的主要功能是作为电子开关或放大器件使用,适用于各种需要高效能和高可靠性的应用场合。其封装形式通常为TO-220或TO-252,具体取决于制造商的设计规范。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:1.5mΩ
  总功耗:180W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

SF54G具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流条件下有效减少功率损耗。
  2. 快速开关性能,支持高频操作,有助于减小滤波器尺寸和提升整体效率。
  3. 内置ESD保护功能,增强芯片在恶劣环境下的可靠性。
  4. 高雪崩耐量能力,确保在过载或异常情况下仍能正常工作。
  5. 小型化封装设计,便于集成到紧凑型电子产品中。

应用

SF54G适用于多种应用场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. DC-DC转换器的核心功率元件。
  4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。
  5. 工业自动化设备中的负载切换和保护。

替代型号

IRF540N
  STP30NF06L
  FDP029N06L

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SF54G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥4.44000剪切带(CT)1,250 : ¥1.71392带盒(TB)
  • 系列-
  • 包装剪切带(CT)带盒(TB)
  • 产品状态在售
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)5A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)950 mV @ 5 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)35 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏2.5 μA @ 200 V
  • 不同?Vr、F 时电容80pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳DO-201AD,轴向
  • 供应商器件封装DO-201AD(DO-27)
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 150°C