2DI75A-060 时间：2025/8/9 6:41:32 阅读：15

2DI75A-060 是一款由 STMicroelectronics 生产的双路 N 沟道功率 MOSFET，采用紧凑的封装设计，适用于高效率电源转换和功率管理应用。这款 MOSFET 的主要特点是低导通电阻（Rds(on)），能够提供较高的电流承载能力，同时具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型：MOSFET（N 沟道双路）
　　漏极电流（Id）：75A
　　漏极-源极电压（Vds）：60V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约 2.5mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　安装类型：表面贴装

特性

2DI75A-060 MOSFET 具有多个显著的性能特点，适用于高功率和高效率的应用需求。其低导通电阻特性使其在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。该器件的双路 N 沟道结构设计允许其在并联应用中简化电路布局，提高系统的可靠性和热稳定性。此外，该 MOSFET 的 PowerFLAT 5x6 封装具有良好的散热性能，能够在高功率密度应用中有效降低温度上升，从而延长器件的使用寿命。
　　这款 MOSFET 还具备高雪崩能量承受能力和优秀的短路耐受性，使其在恶劣工作环境下仍能稳定运行。栅极驱动电压范围较宽，支持常见的 10V 和 12V 驱动电压，适用于多种功率转换拓扑结构，如同步整流、DC-DC 转换器和电机控制电路。此外，其快速开关特性也有助于减少开关损耗，提高系统的动态响应性能。

应用

2DI75A-060 MOSFET 广泛应用于多种高功率和高效率电子系统中，尤其适合于电源管理和功率转换领域。典型的应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、工业自动化设备和高功率 LED 驱动电路。此外，该器件也可用于汽车电子系统中的功率控制模块，如车载充电器、逆变器和电动助力转向系统。由于其优异的热性能和可靠性，该 MOSFET 在需要高稳定性和高效率的工业和汽车应用中表现尤为出色。