型号：SF404C
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：40V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：75A（Tc=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：280A
　　最大功耗（Pd）：230W（Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ（典型值，Vgs=10V，Id=30A）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：4300pF（典型值，Vds=20V，Vgs=0V，f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：920pF（典型值，Vds=20V，Vgs=0V，f=1MHz）
　　反向传输电容（Crss）：160pF（典型值，Vds=20V，Vgs=0V，f=1MHz）
　　二极管正向电压（Vf）：约1.0V（If=75A）
　　开启延迟时间（td(on)）：18ns
　　上升时间（tr）：45ns
　　关断延迟时间（td(off)）：70ns
　　下降时间（tf）：35ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装：DPAK（TO-252）

SF404C采用安森美成熟的TrenchMOS工艺技术，这种技术通过优化沟道结构和掺杂分布，在保证高载流能力的同时显著降低了导通电阻。其典型的Rds(on)仅为1.8mΩ，在同类40V N沟道MOSFET中处于领先水平，这意味着在大电流应用下能够有效减少I2R损耗，提高系统效率。此外，低Rds(on)也有助于减小散热器尺寸或简化热设计，从而支持更紧凑的产品布局。
　　该器件具备优异的开关性能，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输入/输出电容，使其在高频开关应用中表现卓越。例如，在同步整流型DC-DC转换器中，快速的开启和关断响应有助于减少交叉导通时间和开关损耗，进一步提升电源转换效率。同时，其反向恢复电荷（Qrr）较小，配合体二极管使用时可降低电磁干扰（EMI）风险。
　　热稳定性方面，SF404C可在高达+175°C的结温下持续工作，适合在高温环境中长期运行。其DPAK封装不仅提供了良好的机械强度，而且便于焊接与维修，广泛兼容自动化贴片生产线。此外，器件内部结构经过优化，具备一定的抗雪崩能力，能够在突发电压冲击或感性负载切换时提供额外保护，增强系统的整体可靠性。
　　安全性方面，SF404C符合RoHS指令要求，并通过了多项国际标准认证，适用于对环保和安全有严格要求的应用场景。综合来看，这款MOSFET凭借其低导通电阻、高电流承载能力、优良的开关特性以及坚固耐用的封装设计，成为众多中高功率开关电源和电机驱动电路中的优选器件。

SF404C主要应用于需要高效能、高电流密度的电力电子系统中。典型用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在服务器电源、通信电源和工业电源模块中作为主开关或同步整流器使用。其低导通电阻和高电流处理能力使其非常适合用于DC-DC降压或升压转换器，尤其是在多相VRM（电压调节模块）设计中，多个SF404C并联可实现更低的总导通损耗和更高的输出电流能力。
　　在电池供电系统中，如电动工具、无人机和便携式医疗设备，SF404C可用于H桥电机驱动电路或电池保护电路中的充放电控制开关。其快速开关特性有助于实现精确的PWM调速控制，而低导通压降则延长了电池续航时间。
　　此外，该器件也常见于LED照明驱动电源、逆变器、UPS不间断电源以及汽车电子系统中的辅助电源模块。在车载应用中，虽然其电压等级主要用于12V或24V系统，但因其高可靠性和温度适应性，常被用于车灯控制、风扇驱动或车载充电器等子系统。
　　工业自动化设备中的固态继电器（SSR）、PLC输出模块以及电源分配单元也是SF404C的重要应用场景。总体而言，凡是对效率、空间和热管理有较高要求的中等电压（≤40V）、大电流开关应用，SF404C均是一个极具竞争力的选择。

NTD4953N
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