时间：2025/8/14 2:03:23
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SF24G 是一款常用于射频（RF）和微波电路中的场效应晶体管（FET），具有高频率响应和低噪声特性，广泛应用于通信设备、射频放大器以及测试仪器等领域。
类型：场效应晶体管（FET）
晶体管类型：N沟道MOSFET
最大工作频率：24 GHz
噪声系数：约0.5 dB（典型值）
增益：约10-15 dB（典型值）
输出功率：100 mW（典型值）
工作电压：3.3 V 或 5 V
封装形式：SOT-343 或其他高频封装形式
SF24G 场效应晶体管专为高频应用设计，其主要特性包括出色的噪声性能、高频响应能力和稳定的增益表现。在低电压下仍能保持良好的工作状态，适用于便携式和高集成度的电子设备。该器件采用先进的硅工艺制造，具有较高的可靠性和抗干扰能力。此外，其紧凑的封装形式适合高频电路中的表面贴装，有助于减小电路板尺寸并提高系统集成度。
在射频前端电路中，SF24G 可作为低噪声放大器（LNA）使用，显著提高接收机的灵敏度。其低噪声系数和高线性度确保了在复杂电磁环境下仍能保持清晰的信号传输。同时，该器件具有良好的热稳定性和抗静电能力，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于各种工业级和商业级应用环境。
SF24G 主要应用于无线通信系统、射频识别（RFID）、微波通信设备、测试与测量仪器、低噪声放大器（LNA）电路以及各类高频电子设备中。
NE3210S0101, ATF-54143, BFP420
