TE28F320B3BC90 时间：2025/12/26 16:15:00 阅读：10

TE28F320B3BC90是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的并行接口闪存存储器芯片，属于NOR Flash产品系列。该器件主要面向需要高可靠性、快速读取和代码执行能力的嵌入式系统应用。TE28F320B3BC90提供32兆位（即4兆字节）的存储容量，采用标准的56引脚TSOP封装形式，工作电压为3.0V至3.6V，适用于工业级温度范围（-40°C至+85°C），具备良好的环境适应性和长期稳定性。该芯片支持快速随机读取操作，典型访问时间低至90纳秒，因此特别适合用于存储启动代码（Boot Code）、固件（Firmware）以及需要直接在存储器中执行（XIP, eXecute In Place）的应用场景。其内部结构划分为多个可独立擦除的扇区（Sector），支持扇区擦除、整片擦除以及按字/字节编程功能，便于实现灵活的数据管理与现场固件升级。此外，该器件集成了硬件写保护机制和软件数据保护算法，防止因意外写入或电源波动导致的数据损坏，提升了系统的数据安全性与可靠性。

参数

型号：TE28F320B3BC90
　　类型：NOR Flash
　　容量：32 Mbit (4 MB)
　　接口类型：并行 (x16)
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V
　　访问时间：90 ns
　　封装形式：56-TSOP
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　写使能控制：有
　　状态寄存器轮询支持：支持
　　扇区架构：多扇区结构，支持独立擦除
　　数据保持：>100年
　　擦写次数：>100,000次

特性

TE28F320B3BC90具备多项关键特性，使其成为工业控制、通信设备和嵌入式系统中的理想选择。首先，其高速90ns访问时间确保了快速指令读取能力，支持eXecute-In-Place（XIP）技术，允许处理器直接从闪存中运行代码，无需将程序加载到RAM，从而节省系统资源并加快启动速度。该芯片采用多扇区架构设计，通常包含多个大小不同的扇区（如主扇区与小扇区组合），便于对关键固件区域进行保护，同时允许对非关键区域进行频繁更新，提升系统维护灵活性。
　　其次，该器件内置智能软件数据保护（Software Data Protection, SDP）功能，能够通过特定命令序列防止误编程或误擦除操作，即使在电源不稳定或系统异常重启的情况下也能有效保护存储数据。此外，它还支持硬件写保护引脚（WP#），可在物理层面上锁定部分或全部存储区域，增强数据安全性。芯片内部集成电荷泵电路，可在标准3V供电下完成编程与擦除所需的高压操作，无需外部高压电源，简化了电源设计并降低了系统成本。
　　再者，TE28F320B3BC90符合工业级环境要求，在-40°C至+85°C宽温范围内稳定工作，适用于严苛的工业与户外应用场景。其高耐久性支持超过10万次的擦写循环，数据保存时间超过100年，确保长期可靠运行。该器件兼容JEDEC标准接口协议，易于与多种微控制器、DSP和ASIC实现无缝连接，并支持常见的闪存管理算法，如磨损均衡（Wear Leveling）和坏块管理，进一步延长使用寿命。最后，其56-TSOP封装具有良好的散热性能与焊接可靠性，适合自动化贴片生产，广泛应用于路由器、工控机、医疗设备和车载电子等领域。

应用

TE28F320B3BC90广泛应用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用包括网络通信设备（如路由器、交换机）中的BIOS或固件存储，工业控制系统中的配置参数与启动代码保存，以及医疗仪器、测试设备中的程序存储模块。由于其支持XIP功能，常被用于无外部RAM加载需求的实时系统中，提升系统响应速度与稳定性。此外，该芯片也适用于需要现场升级（FOTA或Field Update）功能的设备，利用其扇区擦除能力实现安全可靠的固件更新机制。在航空航天与国防电子领域，该器件因其高可靠性与宽温特性也被用于某些非关键任务系统中。由于停产风险较高，目前多见于维修替换或库存使用场景。