类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：15A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤ 40mΩ（在VGS=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：32nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）或TO-220
　　功率耗散（PD）：100W

SF2155B具有多项优异的电气和物理特性，使其在功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了能效并减少了散热需求。其次，该器件具备较高的电流承载能力，在连续漏极电流（ID）可达15A的情况下仍能保持稳定工作，适用于中高功率应用场景。此外，SF2155B的栅极电荷（Qg）相对较低，有助于提高开关速度并减少开关损耗，适用于高频开关应用。
　　该MOSFET的栅源电压范围较宽，支持±20V，增强了其在不同驱动电路中的适应性。同时，其具备良好的热稳定性和过温保护能力，在高温环境下仍能保持可靠的性能。TO-252或TO-220封装形式不仅便于安装和散热管理，也具有良好的机械稳定性和电气绝缘性能，适合用于工业自动化、电源适配器、电池管理系统和负载开关等应用。

SF2155B广泛应用于多个领域的功率控制和转换电路中。在电源管理系统中，常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，实现高效能的能量转换。在电机驱动和继电器控制电路中，该器件可作为高边或低边开关，提供可靠的电流控制能力。此外，SF2155B也适用于电池充电器、LED驱动电源、逆变器和UPS系统等高功率设备中，发挥其低导通损耗和高开关速度的优势。在工业自动化和智能家居控制系统中，该MOSFET也常用于PWM控制、电子负载开关和电机调速等应用。

IRFZ44N, STP16NF06, FQP15N60C, IRLZ44N