SF10HG 时间：2025/12/25 5:38:43 阅读：14

SF10HG是一种超快速恢复二极管（Ultra-Fast Recovery Diode），主要用于高频率开关应用，如开关电源（SMPS）、逆变器、整流器以及各种高频电子电路中。它具有快速的反向恢复时间（trr），能够有效减少开关损耗并提高系统效率。该器件通常采用TO-220或D2PAK封装，具有良好的热性能和可靠性。

参数

最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V
　　最大平均整流电流（IO）：10A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：150A
　　反向恢复时间（trr）：35ns
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　正向压降（VF）：@IF=10A时约为1.3V
　　漏电流（IR）：@VR=1000V时最大为5μA

特性

SF10HG具备极短的反向恢复时间（trr），通常在35ns左右，适用于高频开关电路，能够显著降低开关损耗，提高电源转换效率。
　　该器件的正向压降较低，在额定电流下约为1.3V，有助于减少导通损耗，提高整体系统能效。
　　其最大重复峰值反向电压为1000V，具备较强的耐压能力，适用于高压整流和开关电源等应用场景。
　　最大平均整流电流为10A，能够承受较大的电流负载，适合中高功率应用。
　　器件具备良好的浪涌电流承受能力，最大浪涌电流可达150A，提升了在恶劣工况下的可靠性。
　　采用TO-220或D2PAK封装，具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。
　　工作温度范围宽，从-55℃到+150℃，适应各种复杂环境条件，提高了器件的适用性和稳定性。

应用

SF10HG广泛应用于开关电源（SMPS）中的高频整流与续流二极管，用于提高转换效率并减少开关损耗。
　　在逆变器和UPS系统中作为快速恢复整流器件使用，提升系统的动态响应和稳定性。
　　用于马达驱动和变频器电路中，作为IGBT或MOSFET的续流二极管，确保能量回馈路径的快速响应。
　　适用于LED照明电源、电池充电器、DC-DC转换器等高频率电力电子设备中。
　　也可用于各种整流电路、浪涌吸收电路和高电压隔离电路中，提供可靠的整流与保护功能。