NCE60P25是一款高性能的功率MOSFET,主要应用于高电压、大电流场景。该器件采用了先进的制造工艺,具备出色的开关性能和低导通电阻特性。其额定电压为600V,能够承受较高的反向电压,同时提供较低的导通损耗,适合于各种电源转换及电机驱动应用。
这款MOSFET以其快速的开关速度和优异的热稳定性著称,能够在高温环境下保持稳定运行,适用于工业级和消费级电子设备。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:25A
导通电阻(典型值):150mΩ
栅极电荷:35nC
开关时间:ton=80ns,toff=45ns
工作结温范围:-55℃至+175℃
NCE60P25具有以下特点:
1. 高耐压能力,能够承受高达600V的漏源电压,适合高压应用场景。
2. 低导通电阻设计,有效降低功率损耗,提升系统效率。
3. 快速开关特性,减少开关过程中的能量损失,提高动态性能。
4. 良好的热稳定性,在极端温度条件下仍能保持稳定的电气性能。
5. 小尺寸封装,便于在紧凑型设计中使用,节省PCB空间。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
NCE60P25广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. 逆变器和变频器
3. 电机驱动控制
4. 电动工具
5. 太阳能微逆变器
6. LED驱动器
7. 各类工业和消费类电子设备中的功率管理模块。
NCE60P30
IRFP460
FDP18N60