时间：2025/8/6 2:13:43
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IXFH56N30X3 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率和高功率的应用。该器件采用 TO-247 封装形式，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，是工业电机控制、电源转换器和逆变器等应用的理想选择。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：56A
最大漏源电压：300V
导通电阻（RDS(on)）：0.037Ω
栅极电荷：160nC
最大功率耗散：200W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-247
IXFH56N30X3 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)）仅为 0.037Ω，这显著降低了导通损耗并提高了系统的整体效率。此外，该器件具有高电流承载能力和耐高压特性，能够承受高达 300V 的漏源电压和 56A 的连续漏极电流，适合高功率应用。其 TO-247 封装提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下的稳定运行。
另一个重要特性是其快速开关能力，栅极电荷仅为 160nC，使得开关损耗降低，适用于高频开关应用。该 MOSFET 还具有良好的热稳定性和抗过载能力，能够在严苛的工作环境下可靠运行。此外，该器件的封装设计符合 RoHS 环保标准，适用于现代绿色电子设备的设计要求。
IXFH56N30X3 广泛应用于多种高功率和高频电子系统中，如工业电机驱动、不间断电源（UPS）、DC-DC 转换器、逆变器、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等。其高效率和低导通损耗特性使其成为功率因数校正（PFC）电路和开关电源（SMPS）中的理想选择。在电机控制应用中，该 MOSFET 可用于实现高效的 PWM 控制，提升系统的响应速度和能效。此外，该器件也适用于焊接设备、感应加热装置等需要高功率密度和高可靠性的场合。
IXFH56N30P, IXFH50N30X3, IXFH60N30X3
