时间：2025/12/23 13:03:02
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SEUC3D3V1BH 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效能功率晶体管，专为高频和高功率应用设计。该器件采用增强型场效应晶体管 (eGaN FET) 技术，具有极低的导通电阻和快速开关特性，适用于 DC-DC 转换器、电源管理系统以及射频功率放大器等场景。
该型号结合了先进的封装技术与高性能的材料特性，能够显著提升功率密度并降低系统能耗。
导通电阻：16 mΩ
最大漏源电压：100 V
连续漏极电流：25 A
栅极阈值电压：1.5 V - 3.0 V
开关频率：超过 5 MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SEUC3D3V1BH 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有效减少传导损耗。
2. 快速开关速度，支持高达 5 MHz 的工作频率。
3. 高效的热管理设计，确保在高温环境下稳定运行。
4. 内置反向恢复二极管功能，降低开关损耗。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 小型化的封装形式，节省电路板空间。
SEUC3D3V1BH 广泛应用于以下领域：
1. 高效 DC-DC 转换器和开关模式电源 (SMPS)。
2. 新能源汽车中的车载充电器 (OBC) 和 DC-DC 转换模块。
3. 通信基站中的射频功率放大器。
4. 工业自动化设备中的电机驱动控制。
5. 太阳能逆变器以及其他可再生能源相关的电力转换系统。
6. 消费类电子产品中的快充适配器。
SEUC3D3V1AH, SEUC3D3V1CH
