时间：2025/5/21 13:56:18
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SESD3V3DN是一款高性能的瞬态电压抑制器（TVS），主要用于保护电子设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）以及其他瞬态过电压的影响。该器件采用DFN封装，具有低电容和快速响应时间的特点，非常适合用于高速数据线和信号线的保护。SESD3V3DN的额定反向工作电压为3.3V，能够在不损害电路的情况下有效吸收高能量浪涌。
型号：SESD3V3DN
封装：DFN (2引脚)
反向工作电压(Vrwm)：3.3V
击穿电压(Vbr)：3.7V
最大箝位电压(Vc)：6.8V
峰值脉冲电流(Ipp)：10A
动态电阻(Rd)：≤0.4Ω
结电容(Cj)：≤5pF
响应时间：≤1ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
SESD3V3DN具备以下关键特性：
1. 超低结电容设计，确保在高频应用中的性能。
2. 极快的响应时间，能够迅速抑制瞬态电压威胁。
3. 高度可靠的DFN封装，提供卓越的热性能和机械稳定性。
4. 符合RoHS标准，环保且无铅。
5. 能够承受高达10A的峰值脉冲电流，适用于多种工业和消费类应用场景。
6. 工作温度范围广，适应恶劣环境下的应用需求。
SESD3V3DN广泛应用于各种需要ESD保护的场合，包括但不限于：
1. USB接口保护。
2. HDMI、DisplayPort等高速数据线保护。
3. 移动设备（如智能手机和平板电脑）的天线端口保护。
4. 工业自动化设备中的信号线路保护。
5. 汽车电子系统中的敏感元件保护。
6. 网络通信设备的端口防护。
PESD3V3BAB, SMAJ3V3A, SMG3Z3V3CA
