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SESD08C 发布时间 时间:2025/6/3 19:14:02 查看 阅读:4

SESD08C是一种瞬态电压抑制二极管(TVS二极管),主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、感应雷击和电压瞬变的损害。该器件具有快速响应时间、低电容以及高浪涌能力,适用于高速数据线、通信接口和其他敏感电子设备的保护。SESD08C采用紧凑型封装设计,适合空间受限的应用场景。
  SESD08C的主要特点是其出色的双向保护性能,能够在正向和反向偏置条件下有效钳位过压脉冲,从而确保被保护电路的安全运行。

参数

类型:瞬态电压抑制二极管
  工作电压:±8V
  峰值脉冲电流(IPP):5A
  最大箝位电压(VC):16V
  响应时间:小于等于1皮秒
  结电容:15pF
  漏电流(ID):小于等于1μA
  封装形式:SOD-323
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

SESD08C具备以下显著特性:
  1. 快速响应时间,能够迅速抑制瞬态过压事件。
  2. 双向保护结构,支持正负方向的电压瞬变防护。
  3. 高浪涌承受能力,能够承受高达5A的峰值脉冲电流。
  4. 超低电容设计(仅15pF),非常适合高速信号线路。
  5. 小尺寸封装(SOD-323),易于集成到紧凑型电路中。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅。
  7. 广泛的工作温度范围,适应各种环境条件下的应用需求。

应用

SESD08C广泛应用于以下领域:
  1. 高速数据接口保护,例如USB、HDMI、以太网等。
  2. 移动设备中的射频信号线保护,如手机、平板电脑。
  3. 工业自动化系统中的通信总线保护。
  4. 汽车电子中的信号线和控制模块保护。
  5. 传感器和执行器的输入/输出保护。
  6. 其他需要ESD和浪涌保护的敏感电子电路。
  其双向保护能力和超低电容特性使其成为高速信号线路的理想选择。

替代型号

SESD05C, SESD12C

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