SESD08C是一种瞬态电压抑制二极管(TVS二极管),主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、感应雷击和电压瞬变的损害。该器件具有快速响应时间、低电容以及高浪涌能力,适用于高速数据线、通信接口和其他敏感电子设备的保护。SESD08C采用紧凑型封装设计,适合空间受限的应用场景。
SESD08C的主要特点是其出色的双向保护性能,能够在正向和反向偏置条件下有效钳位过压脉冲,从而确保被保护电路的安全运行。
类型:瞬态电压抑制二极管
工作电压:±8V
峰值脉冲电流(IPP):5A
最大箝位电压(VC):16V
响应时间:小于等于1皮秒
结电容:15pF
漏电流(ID):小于等于1μA
封装形式:SOD-323
工作温度范围:-55℃至+150℃
SESD08C具备以下显著特性:
1. 快速响应时间,能够迅速抑制瞬态过压事件。
2. 双向保护结构,支持正负方向的电压瞬变防护。
3. 高浪涌承受能力,能够承受高达5A的峰值脉冲电流。
4. 超低电容设计(仅15pF),非常适合高速信号线路。
5. 小尺寸封装(SOD-323),易于集成到紧凑型电路中。
6. 符合RoHS标准,环保且无铅。
7. 广泛的工作温度范围,适应各种环境条件下的应用需求。
SESD08C广泛应用于以下领域:
1. 高速数据接口保护,例如USB、HDMI、以太网等。
2. 移动设备中的射频信号线保护,如手机、平板电脑。
3. 工业自动化系统中的通信总线保护。
4. 汽车电子中的信号线和控制模块保护。
5. 传感器和执行器的输入/输出保护。
6. 其他需要ESD和浪涌保护的敏感电子电路。
其双向保护能力和超低电容特性使其成为高速信号线路的理想选择。
SESD05C, SESD12C