型号：ME3460-G
　　极性：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-4.4A（@ VGS = -10V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-17.6A
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ（@ VGS = -10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：52mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：520pF（@ VDS = 15V）
　　输出电容（Coss）：190pF（@ VDS = 15V）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（@ VDS = 15V）
　　栅极电荷（Qg）：12nC（@ VGS = -10V）
　　功耗（PD）：1.4W（@ TA = 25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

ME3460-G采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，这使得它在大电流开关应用中能够显著降低功率损耗，提高能源利用效率。其45mΩ的RDS(on)在P沟道MOSFET中属于较低水平，尤其在-10V栅极驱动条件下表现优异，可有效减少发热，提升系统稳定性。该器件的阈值电压范围适中，确保在常见逻辑电平下能够可靠开启与关闭，适用于多种控制信号环境。其输入、输出及反向传输电容均经过优化，在高频开关应用中表现出良好的动态响应特性，有助于减少开关过程中的能量损耗。此外，该器件具备较强的抗雪崩能力和良好的热稳定性，能够在瞬态过载或短路情况下维持一定时间的安全运行，增强了系统的鲁棒性。
　　ME3460-G的SOT-23封装不仅体积小巧，便于在紧凑型电路板上布局，还具备良好的热传导性能，通过合理的PCB设计可实现有效散热。其无铅环保封装符合现代电子产品对绿色环保的要求，适用于自动化贴片生产流程。该器件具有较高的栅极耐压能力（±20V），可在电压波动较大的环境中保持稳定工作，避免因栅极击穿导致的失效问题。同时，其漏源击穿电压为-30V，适用于大多数低压直流电源系统，如12V或24V工业控制模块、电池供电设备等。由于其P沟道特性，常用于高端开关配置，简化驱动电路设计，无需额外的电荷泵电路即可实现负载控制。
　　在可靠性方面，ME3460-G经过严格的生产测试和质量控制，具备出色的长期稳定性与抗老化能力。其工作结温可达+150°C，适用于高温工作环境，例如靠近电源模块或处理器的区域。此外，器件内部结构设计优化了电场分布，降低了局部热点形成的风险，从而延长使用寿命。对于便携式设备而言，低静态功耗和快速开关响应使其成为理想的电源通断控制元件。综合来看，ME3460-G凭借其优异的电气性能、紧凑的封装和高可靠性，成为众多电源管理应用中的关键组件。

ME3460-G广泛应用于各类低电压、中等电流的电源开关和负载控制场景。典型应用包括移动设备中的电池充电与放电管理电路，作为高端开关用于控制电池与系统之间的连接，实现过流、过压和短路保护功能。在DC-DC转换器中，该器件可用于同步整流或电源路径切换，提升转换效率并降低系统功耗。此外，它也常被用作热插拔控制器中的主开关元件，确保在带电状态下插入或移除模块时不会产生电流冲击或电压跌落。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表中，ME3460-G用于LCD背光驱动、摄像头模块供电控制以及各种外设的电源管理，实现精细化的能耗控制。
　　工业控制领域中，ME3460-G可用于PLC模块、传感器供电单元和继电器驱动电路中的固态开关替代方案，提供更快的响应速度和更长的使用寿命。在通信设备中，该器件适用于PoE（以太网供电）系统的本地电源切换，或作为备用电源自动切换开关。此外，在医疗电子设备、智能家居控制器和物联网终端设备中，ME3460-G因其高可靠性与小尺寸优势，成为实现高效电源管理的理想选择。其P沟道特性简化了高端驱动设计，无需复杂的驱动电路即可实现有效的通断控制，进一步降低了系统成本和设计复杂度。总之，ME3460-G适用于任何需要高效、小型化、可靠电源开关的电子系统。

AOD403, Si2303CD-S, DMG2303U, FDMC8200, TSM2303CX