SESD05PBD是一种瞬态电压抑制器(TVS),属于意法半导体(STMicroelectronics)的ESD保护二极管系列。该器件设计用于保护敏感电子电路免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和其他过压瞬态的危害。SESD05PBD采用小型化的DFN1012-2封装,适合于空间受限的应用场景。
这种TVS二极管具有低电容特性,非常适合高速数据线和高频信号线路的保护需求。它能够有效抑制高达±15kV(空气放电)和±8kV(接触放电)的ESD冲击,同时保持较低的箝位电压以确保被保护电路的安全。
最大工作电压(VRWM):5.8V
峰值脉冲电流(IPP):37A
箝位电压(VC):9.6V
结电容(Cj):2pF
响应时间:1ps
封装类型:DFN1012-2
工作温度范围:-55℃至+150℃
SESD05PBD具有以下关键特性:
1. 高度集成的单向TVS二极管结构,提供出色的ESD防护性能。
2. 极低的结电容(2pF),确保对高速信号的影响最小化。
3. 快速响应时间(1皮秒),能够在瞬态事件发生时迅速动作以保护设备。
4. 稳健的抗ESD能力,支持±15kV(空气放电)和±8kV(接触放电)。
5. 符合IEC61000-4-2国际标准,满足现代电子设备的严格要求。
6. 小型化的DFN1012-2封装,节省PCB板空间,适用于便携式设备。
7. 宽工作温度范围,适应各种恶劣环境下的应用需求。
SESD05PBD广泛应用于需要ESD保护的领域,主要包括:
1. USB接口、HDMI接口、DisplayPort等高速数据传输端口的保护。
2. 移动设备中的射频前端(如Wi-Fi、蓝牙模块)防护。
3. 汽车电子系统中的CAN总线、LIN总线等通信线路防护。
4. 工业自动化设备中的传感器信号线保护。
5. 医疗电子设备中敏感电路的防护,例如监护仪、超声波设备等。
6. 其他任何需要高可靠性、低电容保护解决方案的场合。
SESD05PBDT
SESD05PBF
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