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SER2009-202MLD 发布时间 时间:2025/7/16 15:40:48 查看 阅读:10

SER2009-202MLD 是一种基于砷化镓(GaAs)工艺制造的低噪声放大器(LNA)芯片,主要用于射频和微波通信领域。该器件具有出色的增益性能、低噪声系数以及高线性度,非常适合在无线通信系统、卫星接收设备以及雷达系统中使用。
  这款芯片工作在 C 波段频率范围内,并且采用了微型封装技术,便于集成到紧凑型设计中。它支持高达 2GHz 的频率范围,同时保持稳定的性能表现。

参数

型号:SER2009-202MLD
  类型:低噪声放大器 (LNA)
  工艺:砷化镓 (GaAs) 工艺
  封装:MLD 封装
  频率范围:DC 至 2GHz
  增益:15dB(典型值)
  噪声系数:1.0dB(典型值)
  输入匹配:50Ω
  输出匹配:50Ω
  电源电压:+4V 到 +6V
  静态电流:约 30mA
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

SER2009-202MLD 芯片的主要特点是其卓越的射频性能,包括高增益和低噪声系数,这使得它成为需要高质量信号放大的应用的理想选择。
  此外,由于采用了 GaAs 工艺,该器件能够在高频条件下提供稳定的工作性能,同时具备较低的功耗水平。
  为了方便用户使用,此 LNA 集成了偏置电路,从而简化了外部设计需求。另外,其小型化 MLD 封装形式进一步增强了它的吸引力,特别是在对空间有限制的应用场景下。
  总体而言,SER2009-202MLD 不仅提供了优秀的电气性能,还兼顾了易于集成和可靠性的特点,使其成为现代通信系统中的关键组件之一。

应用

SER2009-202MLD 主要应用于以下领域:
  1. 卫星通信系统的前端接收模块,用于增强弱信号的质量。
  2. 雷达系统中的信号放大处理部分,以提高探测精度。
  3. 无线基础设施设备如基站或中继站内的信号链路。
  4. 医疗成像设备和其他需要高性能射频放大的仪器仪表。
  5. 短距离无线通信网络节点中的信号调理单元。
  总之,任何需要在高频环境下实现高效、低失真信号放大的场合都可以考虑采用此款 LNA 芯片。

替代型号

SER2009-202SMD, SER2008-202MLD

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