SENC3D3V1B是一款高性能的陶瓷电容器,采用多层陶瓷技术制造。该器件具有低ESR(等效串联电阻)、低ESL(等效串联电感)和高纹波电流能力的特点,适用于各种高频滤波、去耦和电源应用。其额定电压为3.1V,容量为10μF,并且符合AEC-Q200标准,适合汽车级应用。
SENC3D3V1B使用X7R介质材料,这种介质材料在温度变化和直流偏置条件下具有良好的电容稳定性。此外,它还具有抗振动和抗冲击性能,能够在恶劣的工作环境中保持稳定的电气特性。
容量:10μF
额定电压:3.1V
封装类型:0603
介质材料:X7R
工作温度范围:-55℃至+125℃
公差:±10%
直流偏置:≤10%额定容量
ESR:≤10mΩ(典型值)
SENC3D3V1B采用了先进的多层陶瓷工艺制造,确保了器件在高频条件下的卓越性能。它的低ESR特性使得它能够有效减少电路中的纹波电压,从而提高系统的稳定性和效率。
由于使用了X7R介质材料,SENC3D3V1B在温度从-55℃到+125℃的变化范围内仍然能保持稳定的电容值,这对于需要在极端环境下工作的设备非常重要。此外,该器件的小型化设计使其非常适合空间受限的应用场景。
SENC3D3V1B符合RoHS标准,环保无铅,满足现代电子设备对绿色制造的要求。同时,其高可靠性设计也确保了在长时间使用中的优异表现。
SENC3D3V1B广泛应用于各种消费类电子产品、工业设备以及汽车电子系统中。它可以用于电源模块中的输入/输出滤波,以降低电磁干扰并提高电源质量。
在通信领域,SENC3D3V1B可用于射频电路的匹配和滤波,确保信号的纯净度和传输效率。此外,在音频设备中,它可以用作音频放大器的旁路电容,减少噪声并提升音质。
对于汽车电子应用,例如发动机控制单元(ECU)、车载信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统(ADAS),SENC3D3V1B凭借其耐高温特性和抗振动能力成为理想选择。
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