您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > H9CKNNNBKTMTDR-NUHR

H9CKNNNBKTMTDR-NUHR 发布时间 时间:2025/9/2 8:36:13 查看 阅读:8

H9CKNNNBKTMTDR-NUHR 是一款由SK海力士(SK Hynix)制造的高性能、低功耗DRAM(动态随机存取存储器)芯片,专为高端移动设备和嵌入式系统设计。该型号属于LPDDR4(低功耗双倍数据速率第四代)系列,适用于需要高速数据处理和能效优化的设备,如智能手机、平板电脑和便携式计算设备。这款DRAM芯片采用先进的封装技术和高密度存储单元设计,提供大容量存储和快速的数据传输速率。

参数

制造商:SK Hynix
  类型:LPDDR4 SDRAM
  容量:8GB
  数据速率:4266Mbps
  电压:1.1V
  封装类型:FBGA
  封装尺寸:134-ball
  工作温度:-40°C ~ 85°C

特性

H9CKNNNBKTMTDR-NUHR 芯片采用先进的1x纳米制程工艺,具有较高的集成度和稳定性。其LPDDR4技术使其在保持高性能的同时,显著降低功耗,延长设备的电池寿命。该芯片支持多种低功耗模式,包括深度电源关闭(DPD)模式,以便在设备闲置时进一步节省能源。此外,H9CKNNNBKTMTDR-NUHR 还具备出色的热管理和数据完整性保护功能,确保在高负载和高温环境下依然能够稳定运行。
  该芯片的高带宽特性使其能够支持复杂的应用场景,例如4K视频播放、大型游戏、多任务处理等。其高效的多任务处理能力使得移动设备在运行大型应用程序和后台任务时依然能够保持流畅的用户体验。此外,H9CKNNNBKTMTDR-NUHR 的高可靠性和长寿命设计也使其适用于对稳定性要求较高的工业和商业设备。

应用

H9CKNNNBKTMTDR-NUHR 主要应用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、便携式游戏机以及其他需要高性能内存的嵌入式系统。由于其低功耗特性和高效能表现,该芯片也常用于需要长时间运行且对电池续航有严格要求的设备。此外,该芯片也可用于某些工业控制和车载电子系统,以提供稳定、高效的数据处理能力。

替代型号

H9HKNNNCAWMMDR-NUUH,H9HP53ALVFR0SG

H9CKNNNBKTMTDR-NUHR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价