时间：2025/8/14 14:59:48
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MBR2050DC_R2_00001 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的肖特基势垒整流器（Schottky Barrier Rectifier），广泛应用于需要高效率和快速开关性能的电源电路中。该器件采用双共阴极（Dual Common Cathode）结构，具有较低的正向压降和较高的电流处理能力，适合用于AC-DC和DC-DC转换器中的输出整流。
类型：肖特基二极管
配置：双共阴极
最大正向电流（IF）：每元件20A
峰值反向电压（VRM）：50V
正向压降（VF）：典型值0.53V，最大值0.65V @ IF=20A
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-277
安装方式：表面贴装（SMD）
结电容（Cj）：约1000pF
反向漏电流（IR）：最大100μA @ VR=50V
MBR2050DC_R2_00001 肖特基二极管具备多项优异特性，使其在高频电源转换应用中表现出色。
首先，该器件采用了先进的肖特基势垒技术，显著降低了正向压降（VF），从而减少了导通损耗，提高了电源转换效率。在额定电流20A条件下，正向压降典型值为0.53V，最大不超过0.65V，远低于普通快恢复二极管的1.2V～1.5V，这对降低温升、提高系统可靠性具有重要意义。
其次，MBR2050DC_R2_00001 采用双共阴极封装结构，使得在同步整流或双路输出拓扑中可以简化PCB布局，并提高散热效率。该结构有助于减少并联应用中的电流不均衡问题，提高系统的稳定性。
此外，该器件的封装采用TO-277表面贴装形式，具备良好的热传导性能，适用于自动化贴片工艺，便于现代高密度电源模块的制造。其工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适应多种恶劣环境下的应用需求。
最后，MBR2050DC_R2_00001 的反向恢复时间极短，几乎可以忽略不计，这使得它在高频开关电源中能有效减少开关损耗，提高系统整体效率。同时，其反向漏电流在额定条件下控制在100μA以内，保证了在高温下的稳定工作。
MBR2050DC_R2_00001 主要应用于需要高效率和低损耗的电源系统中。常见的应用包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、服务器电源、电信设备电源、电池充电器以及光伏逆变器等。
在同步整流拓扑中，该器件常用于提高整流效率，降低损耗并减少散热需求。由于其低正向压降特性，特别适合用于高电流输出的电源系统，如高性能计算设备、数据中心电源模块等。
此外，该器件也适用于需要快速恢复和低损耗的电机驱动、工业控制电源以及便携式电子设备的电源管理系统中。其宽广的工作温度范围也使其适用于户外或工业级高温环境下的电源设计。
MBR2050CT、MBR2045CT、SB2050CT、SS220B、MBRS2H50CTG
