时间：2025/5/6 18:08:53
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CSD17581Q3A 是一款由 TI（德州仪器）生产的 N 沣道艗沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制程技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于需要高效能功率转换的应用场景。
此功率 MOSFET 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及各种电源管理应用中，能够有效降低功耗并提升系统效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：29A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：11nC
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装形式：DSO-N8
CSD17581Q3A 提供了极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，并且其优化的栅极电荷设计使得开关损耗也降至最低。此外，该器件具备快速的开关性能，能够在高频应用中维持较高的效率。
该功率 MOSFET 具有坚固的设计，可承受高达 ±2kV 的 HBM ESD 保护，增强了在恶劣环境下的可靠性。同时，它还支持汽车级 AEC-Q101 标准，确保在关键应用中的稳定性和耐用性。
CSD17581Q3A 的小尺寸封装使其非常适合空间受限的设计，同时其卓越的散热性能可以帮助简化热管理方案。
这款 MOSFET 广泛应用于汽车电子系统中，如电池管理系统、电动助力转向系统和 LED 驱动等。
此外，它也非常适合工业和消费类应用，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- 电机控制
- 电信设备
- 笔记本电脑适配器
- 太阳能逆变器
总之，任何需要高效率功率切换和低损耗的场合都可以考虑使用 CSD17581Q3A。
CSD17579Q3A
