时间：2025/5/10 14:31:15
阅读：3
SENC3D12V1BA 是一款由日本厂商 Sanken 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-220 封装，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高效功率转换的场景。其高耐压和低导通电阻的特点使其在中高功率应用中表现出色。
最大漏源电压：600V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4A
脉冲漏极电流：12A
导通电阻（典型值）：1.8Ω
总功耗：75W
工作温度范围：-55℃ to 150℃
SENC3D12V1BA 的主要特性包括高击穿电压、低导通电阻以及出色的热稳定性。这些特点使其能够适应苛刻的工作条件并减少能量损耗。
高击穿电压为 600V，确保了它在高压环境中的可靠性。
低导通电阻降低了传导损耗，提高了整体效率。
同时，TO-220 封装形式提供了良好的散热性能，进一步增强了器件的耐用性和使用寿命。
SENC3D12V1BA 广泛应用于各种功率电子领域，例如开关模式电源 (SMPS)、直流电机驱动、太阳能逆变器以及不间断电源 (UPS) 系统。此外，它还适用于工业控制设备、家用电器以及汽车电子系统中的功率管理模块。
IRFZ44N
FQP16N60
STP12NK60Z
