时间：2025/6/9 9:23:15
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MDP4N60TH是一款N沟道功率MOSFET，。它专为高频开关应用设计，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件广泛用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等领域。其耐压能力达到600V，适用于需要高压支持的电路环境。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：4A
导通电阻：3.8Ω（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：15nC（最大值）
总功耗：75W
工作结温范围：-55℃至+150℃
MDP4N60TH具有以下主要特性：
1. 高击穿电压，确保在高压条件下可靠运行。
2. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高效率。
3. 快速开关性能，适合高频开关应用。
4. 热稳定性强，能够在宽温度范围内正常工作。
5. 具备雪崩能量处理能力，增强器件的鲁棒性。
6. 小型化封装设计，便于安装和散热管理。
MDP4N60TH适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 逆变器和电机驱动电路中的功率级控制。
3. DC-DC转换器中的主开关或同步整流开关。
4. 电池保护电路中的电子保险丝。
5. 各种工业控制设备中的高压开关元件。
IRF640N
FDP5800
STP4NB60Z
