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SENC23T24V2BA 发布时间 时间:2025/6/3 10:21:19 查看 阅读:4

SENC23T24V2BA是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由知名半导体制造商生产。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的电流处理能力。其封装形式为TO-263(D2PAK),适用于多种功率转换和开关应用。
  SENC23T24V2BA主要设计用于要求高效能、低功耗的场景,如DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电池管理等。由于其优异的电气性能和热特性,该器件在工业控制、消费电子和汽车电子领域均有广泛应用。

参数

最大漏源电压:200V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻(Rds(on)):85mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  栅极电荷:45nC(典型值)
  输入电容:1200pF
  总功耗:150W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

SENC23T24V2BA具备以下显著特性:
  1. 高耐压能力:额定漏源电压高达200V,适用于高压环境。
  2. 低导通电阻:典型导通电阻仅为85mΩ,有助于降低传导损耗并提高效率。
  3. 快速开关性能:低栅极电荷设计使器件能够在高频条件下保持高效运行。
  4. 热稳定性强:能够承受高温工作环境,最高结温可达175℃。
  5. 小尺寸封装:采用TO-263封装,便于PCB布局和散热设计。
  6. 可靠性高:通过严格的JEDEC标准测试,确保在严苛条件下的稳定运行。

应用

SENC23T24V2BA广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):作为主开关管或同步整流管。
  2. 电机驱动:用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机的驱动电路。
  3. DC-DC转换器:提供高效的电压转换功能。
  4. 工业自动化:如可编程逻辑控制器(PLC)和伺服驱动器中的功率级。
  5. 汽车电子:包括车载充电器、逆变器和LED驱动等。
  6. 电池管理系统(BMS):用于电池保护和能量管理。

替代型号

IRFZ44N
  STP160N10F
  FDP5500

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