时间：2025/6/3 10:21:19
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SENC23T24V2BA是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由知名半导体制造商生产。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的电流处理能力。其封装形式为TO-263（D2PAK），适用于多种功率转换和开关应用。
SENC23T24V2BA主要设计用于要求高效能、低功耗的场景，如DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电池管理等。由于其优异的电气性能和热特性，该器件在工业控制、消费电子和汽车电子领域均有广泛应用。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：15A
导通电阻（Rds(on)）：85mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：45nC（典型值）
输入电容：1200pF
总功耗：150W
工作温度范围：-55℃至+175℃
SENC23T24V2BA具备以下显著特性：
1. 高耐压能力：额定漏源电压高达200V，适用于高压环境。
2. 低导通电阻：典型导通电阻仅为85mΩ，有助于降低传导损耗并提高效率。
3. 快速开关性能：低栅极电荷设计使器件能够在高频条件下保持高效运行。
4. 热稳定性强：能够承受高温工作环境，最高结温可达175℃。
5. 小尺寸封装：采用TO-263封装，便于PCB布局和散热设计。
6. 可靠性高：通过严格的JEDEC标准测试，确保在严苛条件下的稳定运行。
SENC23T24V2BA广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动：用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机的驱动电路。
3. DC-DC转换器：提供高效的电压转换功能。
4. 工业自动化：如可编程逻辑控制器（PLC）和伺服驱动器中的功率级。
5. 汽车电子：包括车载充电器、逆变器和LED驱动等。
6. 电池管理系统（BMS）：用于电池保护和能量管理。
IRFZ44N
STP160N10F
FDP5500
