SENC23T15V2BA 是一款高性能的氮化镓 (GaN) 功率晶体管,专为高频开关应用设计。该器件采用先进的增强型 GaN 技术,具有极低的导通电阻和快速的开关速度,可显著提高功率转换效率并减小系统尺寸。
该器件适用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源、电机驱动以及其它需要高效能和高频率操作的应用场景。其封装形式为 TO-263,能够有效提升散热性能。
最大漏源电压:150V
连续漏极电流:8A
导通电阻:45mΩ
栅极电荷:7nC
反向恢复时间:30ns
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装类型:TO-263
SENC23T15V2BA 具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可以减少传导损耗,从而提高整体效率。
2. 快速的开关速度,使得器件能够在高频下运行,同时降低开关损耗。
3. 内置保护功能,如过流保护和热关断机制,确保在极端条件下的可靠性。
4. 高击穿电压能力,使其适合各种高压应用场景。
5. 出色的热性能,结合 TO-263 封装,提供更好的散热效果以支持高功率应用。
6. 紧凑的设计有助于简化 PCB 布局并降低系统成本。
SENC23T15V2BA 广泛应用于多种领域:
1. 开关电源 (SMPS),包括适配器和充电器。
2. 电动工具和家用电器中的无刷直流电机驱动。
3. 新能源汽车的车载充电器 (OBC) 和 DC-DC 转换器。
4. 工业自动化设备中的高频逆变器和电源模块。
5. 数据中心服务器的高效电源管理解决方案。
6. 可再生能源领域的光伏逆变器和储能系统。
SENC23T10V2BA
SENC23T20V2BA