SEN013DG-TL 是一颗由 Sanken(三研)公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的制造工艺,具备较高的导通性能和较低的开关损耗,适用于各种高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机控制电路。SEN013DG-TL 采用 TO-252(DPAK)封装形式,具备良好的热性能和机械强度,适用于表面贴装工艺,方便大规模生产。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流(ID):13A
最大漏源电压(VDS):100V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):0.075Ω(最大)
功率耗散(PD):50W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-252(DPAK)
SEN013DG-TL 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备优异的导通特性和较低的导通损耗,适用于高效率电源转换应用。该器件具有快速开关特性,可有效降低开关过程中的能量损耗,提高整体系统效率。此外,其低导通电阻(RDS(on))有助于减少发热,提升系统的稳定性和可靠性。
该 MOSFET 还具备良好的热稳定性,能够在高负载条件下保持稳定的性能。其 TO-252 封装形式具有良好的散热性能,适合用于需要高效散热的电路设计中。此外,SEN013DG-TL 的栅极驱动电压范围较宽,可兼容多种控制电路,便于设计和应用。
在保护性能方面,该器件具备过热保护和短路保护能力,在异常工作条件下仍能保持稳定运行,防止损坏电路中的其他元件。这使得 SEN013DG-TL 在工业控制、电源适配器、电池管理系统等应用中具有较高的安全性和可靠性。
SEN013DG-TL 主要用于各种电源管理与功率控制电路中,包括但不限于以下应用领域:
1. 高频开关电源(SMPS):适用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器,提供高效能和稳定输出。
2. 电机驱动与控制:用于 PWM 控制的电机驱动电路中,实现高效的功率调节。
3. 电池管理系统:适用于充电控制、放电保护等电路,确保电池组的安全运行。
4. 逆变器与 UPS 系统:用于 DC-AC 转换电路中,提高系统的整体效率和稳定性。
5. 工业自动化设备:用于各类自动化控制系统中的功率开关和负载管理。
6. LED 照明驱动:适用于高亮度 LED 驱动电路,提供稳定的电流控制和高效能转换。
IRFZ44N, FDPF085N10, STP12NK80Z, FQA16N50C