HAT2027R-EL 时间：2025/9/7 18:15:52 阅读：28

HAT2027R-EL是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换应用。该器件采用先进的Trench沟道技术，具备较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统以及各种需要高效率功率控制的场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：6A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：27mΩ（典型值，@VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：12nC
　　功率耗散（PD）：2W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：SOP8

特性

HAT2027R-EL具备多项优异特性，使其在功率电子设计中具有广泛应用价值。首先，其低导通电阻（RDS(on)）为27mΩ，显著降低了导通损耗，有助于提高电源转换效率。其次，该器件采用了先进的Trench沟道结构技术，提供了良好的开关性能，减少了开关过程中的能量损耗。
　　此外，HAT2027R-EL具有较高的电流承载能力，在连续漏极电流能力上达到6A，适用于中高功率应用。其最大漏源电压为30V，适合用于低压功率系统，如DC-DC转换器、同步整流器等。该MOSFET的栅极电荷仅为12nC，有助于降低驱动损耗，从而进一步提升整体系统效率。
　　在封装方面，HAT2027R-EL采用SOP8封装，具有良好的散热性能和空间利用率，适合在紧凑型电路设计中使用。其工作温度范围宽达-55°C至150°C，适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。同时，其栅源电压容限为±20V，具备较高的驱动电压容忍度，增强了器件的可靠性和稳定性。
　　综合来看，HAT2027R-EL凭借其低导通电阻、优异的开关性能、较高的电流能力以及紧凑的SOP8封装，成为适用于电源管理、电机控制、电池供电设备和车载电子系统等多种应用场景的理想选择。

应用

HAT2027R-EL广泛应用于各类功率电子系统中，尤其是在需要高效能和高稳定性的设计中。常见应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动电路、电池管理系统（BMS）、电源分配系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，由于其优异的热性能和电气特性，该器件也常用于汽车电子系统，如车载充电器、LED照明驱动器和电源管理系统。其SOP8封装形式也使其适用于空间受限的便携式电子产品和高密度电路设计。