时间：2025/9/14 10:44:07
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PSMN2R7-30BL,118 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备等应用场景。其封装形式为 LFPAK56（也称为 Power-SO8），具备良好的散热性能和可靠性。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：130A
导通电阻（RDS(on)）：2.7mΩ @ VGS = 10V
导通电阻（RDS(on)）：3.5mΩ @ VGS = 4.5V
功率耗散（PD）：110W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN2R7-30BL,118 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），在 VGS = 10V 时仅为 2.7mΩ，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件采用了 NXP 的先进沟槽 MOSFET 技术，使电流密度更高，同时降低了热阻，从而提升了热管理性能。
此外，该 MOSFET 具备较高的电流承载能力，额定连续漏极电流为 130A，适用于高功率密度设计。其栅极驱动电压范围宽广，支持 4.5V 至 10V 的驱动电压，便于与多种控制器和驱动 IC 配合使用。
封装方面，LFPAK56 是一种无引线、双侧散热的表面贴装封装，具有出色的热传导性能，可有效提升器件在高负载条件下的稳定性。该封装还支持自动化装配，适用于大规模生产。
该器件的工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，适应工业级和汽车级应用需求，具备良好的可靠性和稳定性。PSMN2R7-30BL,118 还具有较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），有助于提高开关速度并降低开关损耗，适用于高频开关应用。
PSMN2R7-30BL,118 广泛应用于各种高性能电源管理系统中，特别是在需要高效能、高电流处理能力的场合。其主要应用包括同步整流式 DC-DC 转换器、负载开关电路、电机控制模块、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统中的功率开关。
在服务器电源、电信设备和工业自动化设备中，该器件常用于同步整流拓扑结构中，以提升整体转换效率。由于其低导通电阻和高电流能力，该 MOSFET 也适用于高功率密度的多相供电系统。
在汽车应用方面，PSMN2R7-30BL,118 可用于车载充电系统、电池保护电路以及电动助力转向系统等，满足汽车电子对可靠性和温度适应性的严格要求。
此外，该器件还可用于电源管理模块中的热插拔控制、电子负载和高边开关设计，适用于需要频繁开关和高稳定性的应用场景。
SiSS130DN-T1-GE3, Nexperia PSMN1R8-30TLE, Infineon BSC138N10NS5, STMicroelectronics STL130N3LL
