时间：2025/8/23 14:37:16
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SEMIX653GAR176HDS 是由 SEMIKRON（赛米控）生产的一款高性能功率模块，基于SiC（碳化硅）技术制造。该模块设计用于高效率、高频率和高温环境下运行，适用于新能源汽车、工业电机驱动、可再生能源系统以及储能系统等高要求的应用领域。
类型：SiC MOSFET模块
拓扑结构：三相桥式（Half-Bridge）
最大集电极电流（IC）：650A
最大阻断电压（VCES）：1700V
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装形式：双列直插式（Dual-in-line）
短路耐受能力：≥10μs
热阻（Rth）：0.22 K/W
绝缘等级：符合UL 94 V-0标准
SEMIX653GAR176HDS 模块采用了先进的SiC MOSFET技术，具有极低的导通和开关损耗，从而显著提高了系统的整体能效。
其高阻断电压能力和大额定电流使其适用于高功率密度和高电压应用，例如电动汽车（EV）车载充电器、逆变器、太阳能逆变器以及工业变频器。
该模块的封装设计优化了热管理和机械强度，具备良好的热循环稳定性和长期可靠性，能够在严苛的环境条件下稳定运行。
此外，该模块具备出色的短路耐受能力，增强了在故障条件下的安全性，降低了系统失效的风险。
由于其高频工作能力，可以减小外部滤波器和磁性元件的体积，从而实现更紧凑的设计和更轻的重量。
该模块广泛应用于新能源汽车的主驱逆变器、OBC（车载充电机）、DC-DC转换器等电力电子系统中。
同时，它也适用于工业领域的高性能电机驱动、UPS（不间断电源）、光伏逆变器、风力发电变流器以及储能系统中的功率转换装置。
在轨道交通、智能电网和5G通信电源等高要求场景中，该模块也具有广泛的应用前景。
SKM600GB176D SEMiX3_AU7_SKM600GB176D, SEMIX653GB176HDSC11
