晶体管类型：NPN双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-92
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于工作电流）
　　过渡频率（fT）：100MHz

JTANTX2N1983是一款性能稳定的通用型晶体管，具备良好的电流放大能力和较高的频率响应。其NPN结构使其适用于各种放大电路和开关电路。该晶体管的最大集电极电流可达100mA，能够满足中等功率应用的需求。此外，其最高工作频率可达100MHz，因此在高频放大电路中也有较好的表现。器件的hFE值范围较宽（110-800），允许设计者根据不同的电路需求选择合适的工作点。采用TO-92封装，便于安装和散热，同时适用于PCB板的自动装配工艺。
　　在热稳定性方面，该晶体管可以在-55°C至150°C的宽温度范围内正常工作，适合在各种工业和商业环境中使用。其最大功耗为300mW，确保在常规应用中不会因过热而损坏。此外，其集电极-发射极和集电极-基极之间的最大电压均为30V，具备一定的耐压能力，能够在一定程度上抵抗电压波动的影响。

JTANTX2N1983广泛应用于各类电子电路中，特别是在信号放大、功率放大和开关控制方面表现出色。常见的应用场景包括音频放大器前级放大电路、数字逻辑电路中的开关元件、LED驱动电路、继电器控制电路以及电源管理模块。此外，该晶体管也常用于工业自动化设备、消费类电子产品、通信设备和测试仪器中，作为基本的电子控制单元。由于其良好的频率响应，该器件也适合用于射频（RF）前端电路中的低噪声放大器设计。

2N3904, BC547, 2N2222