MB15F73SPPV-G-EF-6是一款由Renesas Electronics(瑞萨电子)推出的高性能、低功耗的锁相环(PLL)频率合成器芯片,专为高频无线通信系统设计。该器件集成了完整的分数-N PLL架构,适用于需要高频率分辨率和快速锁定时间的应用场景,如无线基站、微波通信、测试与测量设备以及工业射频系统等。该芯片采用先进的BiCMOS工艺制造,确保了在高频工作下的稳定性与可靠性。MB15F73SPPV-G-EF-6支持宽频率范围的输出,其内置的压控振荡器(VCO)驱动电路与可编程分频器能够实现精确的频率控制,同时具备出色的相位噪声性能,适合对信号质量要求较高的应用。
该器件封装为小型化的24引脚QFN(Quad Flat No-leads),具有良好的热性能和电磁兼容性,适合高密度PCB布局。此外,芯片内部集成了多个可配置寄存器,可通过串行接口(如三线或四线SPI)进行编程,便于系统集成和动态频率调整。MB15F73SPPV-G-EF-6还具备低功耗待机模式,有助于延长便携式或电池供电设备的运行时间。作为Renesas高频产品线的重要组成部分,该芯片广泛应用于现代通信基础设施中,提供稳定可靠的本地振荡信号源。
型号:MB15F73SPPV-G-EF-6
制造商:Renesas Electronics
工作电压:3.0V 至 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:24-pin QFN
输出频率范围:最高可达7.3 GHz
参考输入频率:最高 400 MHz
相位检测器频率:最高 200 MHz
分频比:支持整数N和分数N模式
鉴相器类型:PFD(Phase Frequency Detector)
接口类型:串行SPI接口
RF输出电平:典型值 -3 dBm
相位噪声:典型值 -110 dBc/Hz @ 10 kHz offset (在6 GHz)
锁定时间:典型值 < 100 μs
功耗:典型值 45 mA(正常工作模式)
MB15F73SPPV-G-EF-6采用先进的分数-N锁相环架构,具备高频率精度和极短的锁定时间,使其成为高频通信系统中的理想选择。其核心优势在于能够在高达7.3 GHz的输出频率下保持优异的相位噪声性能,这对于减少通信链路中的误码率至关重要。芯片内部集成了高精度的ΔΣ调制器,用于实现精细的频率步进,支持亚赫兹级别的频率分辨率,满足现代通信系统对频道间隔的严格要求。此外,该器件支持多种分频模式,包括整数N和小数N模式,用户可根据具体应用场景灵活配置,优化系统性能。
该芯片具备高度可编程性,所有功能均通过串行接口访问,支持标准的SPI协议,允许主控制器实时修改频率设置、电源模式和反馈分频比等参数。这种灵活性使得MB15F73SPPV-G-EF-6能够适应多频段、多模式的无线系统需求。芯片还内置了丰富的寄存器组,支持状态监控和故障诊断功能,例如锁定检测输出(LOCK Detect),可帮助系统判断PLL是否已稳定锁定目标频率,从而提升系统的可靠性。
在功耗管理方面,MB15F73SPPV-G-EF-6设计有低功耗待机模式,可在不需要射频输出时关闭内部电路以节省能耗。这一特性特别适用于间歇性工作的射频系统或绿色节能设备。其QFN封装不仅体积小巧,还有助于提高散热效率和降低寄生电感,进一步增强高频信号的完整性。此外,该器件符合RoHS环保标准,并经过严格的工业级温度验证,确保在恶劣环境下仍能稳定运行。总体而言,MB15F73SPPV-G-EF-6是一款集高性能、高集成度与高可靠性于一体的频率合成器解决方案。
MB15F73SPPV-G-EF-6广泛应用于需要高频本地振荡器的各种射频和微波系统中。其主要应用场景包括蜂窝通信基础设施,如4G LTE和5G NR基站中的本振信号生成,用于上下变频过程中的频率转换。此外,在点对点微波回传链路中,该芯片可用于生成稳定的载波信号,确保长距离高速数据传输的稳定性与低误码率。
在测试与测量仪器领域,如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪中,MB15F73SPPV-G-EF-6凭借其卓越的相位噪声性能和频率精度,能够提供高质量的扫描信号源,提升仪器的测量分辨率和动态范围。在航空航天与国防系统中,该器件可用于雷达系统、电子战设备和卫星通信终端,满足严苛环境下的高可靠性要求。
此外,该芯片也适用于工业射频加热、医疗成像设备以及高精度时钟恢复电路等专业领域。由于其支持快速频率切换和高分辨率调频能力,还可用于跳频扩频(FHSS)通信系统和软件定义无线电(SDR)平台。总之,凡是需要高性能频率合成的场合,MB15F73SPPV-G-EF-6都能提供稳定、精确且高效的解决方案。
MB15F72SPNV-G-EF-6
MB15F75HFPV-G-EF-6
uPD161804TK