时间：2025/6/22 14:44:21
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RSS125N03-TB是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，适合于多种功率转换应用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：125A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：37nC
总功耗：150W
工作结温范围：-55℃至+175℃
RSS125N03-TB的导通电阻较低，仅为1.6毫欧，能够有效降低传导损耗并提高系统效率。其高电流承载能力使其适用于大功率场景，并且具备良好的热性能以确保长期可靠性。
此外，该MOSFET拥有快速的开关速度，有助于减少开关损耗并在高频应用中表现优异。其封装形式为TO-220，易于安装和散热设计。
在保护功能方面，RSS125N03-TB能够承受一定的雪崩能量，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
RSS125N03-TB主要应用于需要高效功率转换的场合，包括但不限于以下领域：
- 开关模式电源(SMPS)中的主开关管
- 电机驱动电路中的功率级元件
- 工业自动化设备中的负载切换
- 电动车和混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)
- 大功率LED驱动器中的调节组件
IRFZ44N
STP120NF06L
FDP159N
IXFN150N06T2
