配置: Dual IGBT + Diode
　　最大集电极电流 (IC): 553A
　　最大集射电压 (VCES): 1200V
　　最大工作温度: 150°C
　　封装尺寸: 128mm x 76mm x 15mm
　　短路耐受能力: 10μs @ 150°C
　　工作温度范围: -40°C 至 +150°C
　　栅极电压范围: ±20V
　　热阻 (RthJC): 0.17 K/W
　　短路电流能力: 1200A
　　额定工作频率: 16kHz

SEMIX553GAL128DS 具有出色的电气性能和热稳定性，采用先进的芯片技术和封装设计，确保在高功率密度下的可靠运行。其低饱和压降（Vce_sat）特性显著降低了导通损耗，从而提高了整体效率。此外，该模块具有良好的短路保护能力，能够在极端条件下保持稳定运行，防止器件损坏。
　　在封装方面，SEMIX553GAL128DS 采用了赛米控的SKiN技术，使用了柔性导电层代替传统的铝线，提高了模块的机械稳定性和热循环耐久性。这种设计减少了模块内部的应力集中，从而延长了模块的使用寿命，并提升了在高温、高湿等恶劣环境下的可靠性。
　　此外，该模块的双管结构（Dual）允许在半桥拓扑中直接使用，简化了外部电路设计并减少了组件数量。其模块化设计也便于安装和维护，适用于各种高功率密度应用。模块的绝缘性能优异，符合UL和VDE标准，适用于工业级应用环境。

SEMIX553GAL128DS 主要应用于中高功率电力电子系统，例如工业变频器、伺服驱动器、可再生能源系统（如太阳能逆变器和风力发电变流器）、储能系统以及电能质量调节设备（如APF和SVG）。此外，该模块还可用于电动汽车充电设备、轨道交通牵引系统以及各种工业电机驱动系统。由于其高可靠性和优异的热管理性能，该模块非常适合需要长时间高负载运行的应用场景。

SEMIX553GB128DS, SEMIX553DC128DS, SKM553GB128H, FF553R12ME4_B11