额定集电极电流 Ic：350 A
　　额定电压 Vce：1200 V
　　导通压降 Vce_sat：2.45 V（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　短路耐受能力：50 A（10 μs）
　　封装类型：双列直插式封装（DIP）
　　热阻 Rth(j-c)：0.18 K/W
　　最大工作频率：30 kHz

SEMIX353GB126V3 IGBT模块具有多项先进的技术特性，确保其在复杂工况下的稳定运行。首先，该模块采用先进的沟槽栅场截止（Trench Field Stop）IGBT芯片技术，显著降低了导通损耗和开关损耗，提高了整体能效。其次，模块内部采用了低电感封装设计，减少了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升了系统的可靠性和稳定性。
　　此外，SEMIX353GB126V3具备良好的热管理性能，其优化的封装结构和材料选择使得热阻更低，从而有效提高了散热效率，延长了模块的使用寿命。该模块还具有较强的短路耐受能力，能够在极端工况下提供额外的安全保障。
　　模块的封装设计符合工业级防护标准，具备良好的机械强度和抗振动能力，适用于恶劣的工业环境。同时，模块还支持快速更换和安装，便于维护和升级。这些综合优势使其成为高性能电力电子系统设计中的理想选择。

SEMIX353GB126V3 IGBT模块主要应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、光伏逆变器、风力发电变流器以及电动汽车充电系统等。在工业自动化领域，该模块可用于高性能电机控制，提供精确的速度和扭矩调节能力。
　　在可再生能源系统中，SEMIX353GB126V3常用于太阳能逆变器和风力发电变流器，其高效率和高可靠性能够显著提升系统的整体性能和发电效率。此外，该模块也广泛应用于轨道交通中的牵引变流器和辅助电源系统，满足高安全性和长寿命的要求。
　　由于其优异的开关特性和热管理性能，该模块也非常适合用于需要高频开关操作的谐振变换器和软开关拓扑结构，进一步提高系统的功率密度和转换效率。

SKM300GB126DE, FS350R12KE4, BSM350GB120DN2C