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1N1199A 发布时间 时间:2025/12/26 19:57:59 查看 阅读:17

1N1199A是一种硅材料制成的整流二极管,广泛应用于电源转换、信号处理以及一般的整流电路中。该器件属于标准的PN结二极管,具有良好的反向耐压能力和正向导通特性,适用于低频整流场合。1N1199A通常采用轴向引线封装(DO-41),具备较高的机械强度和环境适应性,适合在工业控制设备、消费类电子产品、照明电源及小型电源适配器等应用中使用。该型号二极管由多家半导体制造商生产,符合国际电子工业标准,如JEDEC规范,并通过了相关可靠性测试。其主要功能是在交流到直流的转换过程中实现单向导电,防止电流反向流动,从而保护后续电路元件。由于其成熟的设计和稳定的性能,1N1199A在许多传统电源设计中仍然被广泛采用,尽管近年来部分新型肖特基或快恢复二极管在效率方面更具优势,但在成本敏感型应用中,1N1199A仍具有较强的市场竞争力。

参数

最大重复反向电压(VRRM):1000V
  最大均方根电压(VRMS):700V
  最大直流阻断电压(VDC):1000V
  最大正向平均整流电流(IF(AV)):1.0A
  峰值非重复浪涌电流(IFSM):30A(单个半正弦波,8.3ms)
  最大正向电压降(VF):1.1V(在1.0A时)
  最大反向漏电流(IR):5μA(在额定VRRM下,25°C)
  工作结温范围(TJ):-65°C 至 +175°C
  储存温度范围(TSTG):-65°C 至 +175°C
  热阻(RθJA):约100°C/W(自由空气条件下)
  封装形式:DO-41(轴向引线玻璃封装)

特性

1N1199A作为一款高电压整流二极管,具备出色的电气稳定性和热可靠性。其核心特性之一是高达1000V的最大重复反向电压能力,使其能够安全地应用于市电整流电路中,例如在110V或220V交流输入的桥式整流器中作为四个桥臂之一。该器件能够在瞬态过压情况下承受高达30A的非重复浪涌电流,这一特性对于应对电网中的突波干扰或开机瞬间的冲击电流至关重要,有效提升了整个电源系统的鲁棒性。此外,1N1199A的正向导通压降较低,在1A电流下典型值为1.1V,这有助于减少功率损耗并提高整流效率。
  该二极管采用硅PN结构设计,具有良好的高温工作能力,最大结温可达+175°C,意味着即使在恶劣的散热条件下也能维持正常运行。同时,其宽泛的工作温度范围(-65°C至+175°C)使其适用于各种极端环境下的工业与民用设备。DO-41封装提供了足够的爬电距离和电气隔离性能,满足基本的安全绝缘要求,并且便于手工焊接和自动化装配。器件的玻璃体封装也具有一定的抗湿性和化学稳定性,增强了长期使用的可靠性。虽然1N1199A并非快速恢复型二极管,其反向恢复时间相对较长(一般在几微秒量级),因此不推荐用于高频开关电源,但其在50/60Hz工频整流场景中表现优异。综合来看,1N1199A以其高耐压、大电流承载能力和成熟的制造工艺,成为许多基础电源设计中的可靠选择。

应用

1N1199A主要用于各类需要高压整流功能的电子系统中。最常见的应用场景包括交流-直流电源适配器、小型开关电源的前级整流电路、LED驱动电源、家电控制板电源模块以及工业控制设备的供电单元。在这些系统中,它通常被用作桥式整流器的一个组成部分,将输入的交流电压转换为脉动直流电压,供后续滤波和稳压电路使用。由于其1000V的高反向耐压能力,特别适合接入全球通用的交流电网(100~240VAC),无需额外增加复杂的保护电路即可实现基本的整流功能。
  此外,1N1199A也可用于电池充电器、电动工具电源、照明镇流器以及一些简单的DC-DC变换器前端输入保护电路中。在信号处理领域,虽然其响应速度不足以支持高频信号检波,但在低频或脉冲宽度较宽的信号整流中仍可发挥作用。由于其具备良好的浪涌电流承受能力,常被用于存在较大启动电流的电机类负载或容性负载电路中,以防止反向电压对电源造成损害。在维修和替换过程中,1N1199A因其标准化封装和广泛供货渠道而易于获取,常被技术人员用于老旧设备的维护升级。尽管现代高效能电源越来越多地采用更先进的整流器件,但在成本控制严格、技术要求不高的普及型产品中,1N1199A依然是一个经济实用的选择。

替代型号

1N4007
  1N1199B
  1N1199
  RL207
  MUR1100

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1N1199A参数

  • 数据列表1N1199A, 1N3670A Series
  • 标准包装100
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)50V
  • 电流 - 平均整流 (Io)12A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.35V @ 12A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电3mA @ 50V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型底座,接线柱安装
  • 封装/外壳DO-203AA,DO-4,接线柱
  • 供应商设备封装DO-203AA
  • 包装散装
  • 其它名称*1N1199A