SELC16F3V1B 是一款由三星(Samsung)推出的16Mb(2M x 8)NOR Flash存储芯片,主要应用于需要高可靠性、低功耗和快速读取性能的场景。该芯片采用串行外设接口(SPI)进行数据传输,支持多种工作模式,包括标准SPI、双IO SPI和四IO SPI模式,从而满足不同应用场合对数据吞吐量的需求。其广泛应用于消费电子、工业设备、通信设备等领域。
容量:16Mb
组织结构:2M x 8
接口类型:SPI
工作电压:2.7V至3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:WSON8 (6x5mm)
数据保留时间:20年
擦写寿命:100,000 次
SELC16F3V1B 具备以下显著特性:
1. 支持高速SPI接口,最高时钟频率可达108MHz。
2. 内置ECC(错误检查与纠正)引擎,确保数据的高可靠性。
3. 提供深度掉电模式(Deep Power Down Mode),在待机状态下可将电流消耗降至极低水平。
4. 支持软件保护和硬件保护机制,防止未经授权的访问。
5. 兼容JEDEC标准SPI Flash指令集,便于设计集成。
6. 内部支持扇区保护功能,允许用户对特定区域进行写保护。
7. 通过AEC-Q100认证,适用于汽车级应用环境。
SELC16F3V1B 芯片广泛应用于以下领域:
1. 嵌入式系统中的固件存储。
2. 工业自动化设备中的程序代码存储。
3. 汽车电子系统的引导加载程序和配置数据存储。
4. 消费类电子产品如打印机、路由器等中的数据记录。
5. 医疗设备中关键参数和校准数据的存储。
6. 物联网设备中的操作系统和应用程序存储。
MX25L1606E, W25Q16BV, GD25Q16C