时间：2025/9/3 16:25:28
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MPC2604GAZP66 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。该器件专为高频率、高效率的功率转换应用而设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场合。MPC2604GAZP66采用了先进的Trench沟槽工艺技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和优异的热性能。该器件为N沟道增强型MOSFET，封装形式为DFN5x6，具备良好的散热能力和小型化设计，适用于紧凑型电子设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：110A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大5.8mΩ @ VGS=10V
栅极电荷（Qg）：170nC
功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：DFN5x6
MPC2604GAZP66具有多项突出的电气和物理特性，适用于高性能电源系统设计。
首先，其低导通电阻（Rds(on)）特性显著降低了导通损耗，提高了系统效率。在VGS=10V时，Rds(on)最大仅为5.8mΩ，使得该器件在大电流应用中仍能保持较低的功率损耗。
其次，MPC2604GAZP66具备较高的电流承载能力，最大漏极电流可达110A，适合用于高功率密度的DC-DC转换器和同步整流器等应用。此外，该器件的耐压能力为60V，适用于常见的12V、24V和48V电源系统架构。
该MOSFET采用了DFN5x6封装，具备优异的热性能和较小的封装尺寸，有助于实现高密度PCB布局。同时，DFN封装无引脚设计降低了寄生电感，提高了高频开关性能。
此外，MPC2604GAZP66具有良好的栅极稳定性，栅源电压范围为±20V，适用于各种驱动电路。其栅极电荷（Qg）为170nC，支持快速开关操作，有助于减少开关损耗。
在可靠性方面，该器件的工作温度范围宽达-55°C至+175°C，可在恶劣环境下稳定工作，适用于工业控制、汽车电子和通信设备等应用场景。
综上所述，MPC2604GAZP66凭借其低导通电阻、高电流能力、优异的热性能和可靠性，成为高性能功率转换应用的理想选择。
MPC2604GAZP66广泛应用于多个高功率密度和高频开关的电子系统中。首先，在电源管理系统中，该器件可用于高效DC-DC降压或升压转换器，提供稳定的电压输出，适用于服务器电源、电信设备和工业自动化系统。其次，在电机驱动和负载开关应用中，MPC2604GAZP66的高电流承载能力和低导通电阻可有效提高驱动效率并降低温升。此外，该MOSFET也适用于电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）和储能系统，确保能量的高效转换与传输。由于其优异的高频特性，MPC2604GAZP66也可用于同步整流器和功率因数校正（PFC）电路，提高整体电源效率。在汽车电子领域，该器件可应用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和电机控制器，满足汽车环境下的高可靠性需求。
SiR142DP-T1-GE3, NexFET CSD17551Q5B, IRF6717TRPBF
