SEHC16F12V1UD 是一款由知名半导体厂商生产的高性能 CMOS 静电放电(ESD)保护二极管阵列。该器件设计用于保护敏感的电子设备免受静电放电、浪涌电流和瞬态电压的损害,特别适用于 USB、HDMI 和其他高速数据接口的保护。
SEHC16F12V1UD 采用了先进的制造工艺,具备低电容特性,可确保信号完整性和高速传输性能不受影响。同时,其封装小巧,非常适合空间受限的应用场景。
工作电压:5.5V
最大钳位电压:14V
峰值脉冲电流:3A
电容:0.4pF
结电容:0.5pF
响应时间:1ns
封装:DFN1006B-2
SEHC16F12V1UD 的主要特性包括:
1. 极低的负载电容(<0.5pF),适合高速数据线保护。
2. 快速响应时间(1ns),能够迅速抑制瞬态电压。
3. 高度可靠的 ESD 保护能力,符合 IEC61000-4-2 国际标准(接触放电 ±15kV,空气放电 ±15kV)。
4. 小型化的封装设计(DFN1006B-2),有助于节省 PCB 空间。
5. 符合 RoHS 标准,环保无铅。
6. 良好的热稳定性和长期可靠性,适用于各种恶劣环境下的应用。
SEHC16F12V12UD 广泛应用于需要 ESD 保护的领域,具体包括:
1. 高速数据接口保护,如 USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort、MIPI 等。
2. 消费类电子产品,例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机等。
3. 工业控制设备中的信号线路保护。
4. 汽车电子系统中的高速通信链路保护。
5. 无线通信设备中的天线端口保护。
SEHC16F12V1BD, SEHC16F12V1LD