时间：2025/5/23 8:09:10
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SEH0524S2 是一款由 SemiSouth 生产的碳化硅 (SiC) MOSFET 功率晶体管，采用先进的 SiC 技术制造，具有出色的开关性能和高耐压能力。该器件专为高频、高效功率转换应用设计，能够显著降低开关损耗并提高系统效率。
SEH0524S2 的封装形式为 TO-247-3L，适合表面贴装和通孔安装工艺。其在高温下的稳定性和低导通电阻特性使其成为工业电源、光伏逆变器、电动汽车充电设备以及其他高功率密度应用场景的理想选择。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：18A
导通电阻：1.8Ω
栅极电荷：90nC
反向恢复时间：60ns
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
SEH0524S2 具有以下主要特性：
1. 高击穿电压（1200V），确保在高压环境下的可靠性。
2. 极低的导通电阻（1.8Ω），减少导通状态下的功率损耗。
3. 快速开关速度，优化了动态性能并降低了开关损耗。
4. 超低栅极电荷和输出电荷，提升了高频应用中的效率。
5. 支持高达 175℃ 的工作结温，增强高温环境下的稳定性。
6. 内置反并联二极管，提供高效的体二极管功能。
7. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
SEH0524S2 广泛应用于需要高效率和高可靠性的功率转换场景，具体包括：
1. 工业电源供应器，如服务器电源、通信电源等。
2. 新能源领域，例如太阳能逆变器、风能发电系统。
3. 电动汽车充电基础设施，包括直流快充桩。
4. 高频 DC-DC 转换器和 PFC（功率因数校正）电路。
5. 不间断电源（UPS）和其他备用电源系统。
6. 电机驱动和变频器控制应用。
C2M0080120D, SCT2080KG, FFSP15120W
